BZT52-C3V0J
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3 V 350 mW ±6.7% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3 V
容差: ±6.7%
功率 - 最大值: 350 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52-C2V7J
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 2.7 V 350 mW ±7.4% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 2.7 V
容差: ±7.4%
功率 - 最大值: 350 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 83 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52-C3V6J
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.6 V 350 mW ±5.6% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.6 V
容差: ±5.6%
功率 - 最大值: 350 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52-C24J
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24.2 V 350 mW ±5.8% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24.2 V
容差: ±5.8%
功率 - 最大值: 350 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 nA @ 16.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52-C43J
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 43 V 350 mW ±7% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 43 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 350 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 nA @ 30.1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
1SMB5921BT3G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 6.8 V 3 W ±5% 表面贴装型 SMB
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 6.8 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 2.5 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 5.2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA，SMB
供应商器件封装: SMB
BZT52B13-E3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 13 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 10 V
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52B13RHG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 13 V 500 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
BZT52-B13S_R1_00001
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 13 V 200 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 10 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323
BZT52B13SR9G
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 13 V 200 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323F