BZT52C24-13-F
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 500 mW ±6% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 16.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C24TQ-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 300 mW ±5.83% 表面贴装型 SOD-523
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5.83%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 16.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-79，SOD-523
供应商器件封装: SOD-523
BZT52C24SQ-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 200 mW ±5.83% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5.83%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 16.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
BZT52C24-E3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 18 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C24-GRHG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 350 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 16.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C24KRKG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 19 V
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-79，SOD-523
供应商器件封装: SOD-523F
BZT52C24W
制造商: YAGEO分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 500 mW ±5.83% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5.83%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 16.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C24-E3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 18 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C24-G3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 18 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C24LP-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 250 mW ±5.79% 表面贴装型 X1-DFN1006-2
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5.79%
功率 - 最大值: 250 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 16.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 0402（1006 公制）
供应商器件封装: X1-DFN1006-2