BZT52C68-E3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 68 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 68 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 200 Ohms
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C30-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 500 mW ±7% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C30SR9G
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323F
BZT52C30-GRHG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 350 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C30KRKG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 23 V
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-79，SOD-523
供应商器件封装: SOD-523F
BZT52C30
制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 500 mW ±6.67% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±6.67%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52-C30_R1_00001
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52-C30S-AU_R1_000A1
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323
BZT52-C30X
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 350 mW ±6.7% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±6.7%
功率 - 最大值: 350 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C30RHG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F