BZT52C30S-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 30 V 200 mW ±7% 表面贴装型 SOD-323

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 30 V 容差: ±7% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76,SOD-323 供应商器件封装: SOD-323

BZT52C30HE3-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 30 V 500 mW ±6.67% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 30 V 容差: ±6.67% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C30SHE3-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 30 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76,SOD-323 供应商器件封装: SOD-323

BZT52-C30S_R1_00001

制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 30 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90,SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323

BZT52C30SL-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 30 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 300 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76,SOD-323 供应商器件封装: SOD-323

BZT52C30T-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 30 V 200 mW ±7% 表面贴装型 SOD-523

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 30 V 容差: ±7% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79,SOD-523 供应商器件封装: SOD-523

BZT52C30S

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 30 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90,SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZT52C30

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 30 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F

BZT52C30-G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 30 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 350 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C30K

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 30 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523F

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 23 V 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79,SOD-523 供应商器件封装: SOD-523F