BZT52C30L3PHE3-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 150 mW ±6.67% 表面贴装型 DFN1006-2L
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±6.67%
功率 - 最大值: 150 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 0402（1006 公制）
供应商器件封装: DFN1006-2L
BZT52C30-G3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C30-G3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C30-HE3_A-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C30-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 500 mW ±7% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C30-HE3_A-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C30-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 500 mW ±7% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C30-E3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C30-E3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 30 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
1N4746A-TR
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 18 V 1.3 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 18 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 13.7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）