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2SD1624S-TD-E

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 3 A 150MHz 500 mW 表面贴装型 PCP

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 140 @ 100mA，2V 功率 - 最大值: 500 mW 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-243AA 供应商器件封装: PCP

2SD1624S-TD-H

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 3 A 150MHz 500 mW 表面贴装型 PCP

2SD1624T-TD-H

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 3 A 150MHz 500 mW 表面贴装型 PCP

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值: 500 mW 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-243AA 供应商器件封装: PCP

PBHV2160ZX

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 600 V 100 mA 650 mW 表面贴装型 SOT-223

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 125mV @ 6mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 10mA，10V 功率 - 最大值: 650 mW 频率 - 跃迁: - 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223

MMST5551-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 200 mA 300MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

MMST5551HE3-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 600 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 10mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

MMST5551

制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 600 mA 300MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

MMST5551-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 200 mA 300MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

MMST5551Q-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 200 mA 300MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

ZTX553

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 100 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 1 W 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: E-Line-3 供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）