ZTX551STZ
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 350mV @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 50 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: E-Line-3，成型引线
供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）
ZTX455
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 140 V 1 A 100MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 140 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: E-Line-3
供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）
ZTX451
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 350mV @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 50 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: E-Line-3
供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）
ZTX453
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 100 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 40 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: E-Line-3
供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）
ZTX450
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: E-Line-3
供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）
ZTX696B
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 180 V 500 mA 70MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 180 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 5mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 150 @ 200mA，5V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 70MHz
工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: E-Line-3
供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）
ZTX692B
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 70 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 70 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 10mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 400 @ 500mA，2V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: E-Line-3
供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）
ZTX1048A
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 17.5 V 4 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 4 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 17.5 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 245mV @ 20mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 300 @ 1A，2V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: E-Line-3
供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）
状态: 量产中
Compliance: Pb A H P
Polarity: NPN
IC Continuous (A): 0.1
V(BR)CEO Min (V): 50
hFE Min: 8
R1 (kΩ): 2.2
R2 (kΩ): 2.2
R1/R2 Typ: 1
Vi(off) Max (V): 0.5
Vi(on) Min (V): 2
Package Size (mm): 1.60 x 1.60 x 0.80
Package Type: SC-75-3
MSL Type: 1
MSL Temp (°C): 260
ON Target: No
参考价格: $0.0187
状态: 量产中
Compliance: Pb A H P
Polarity: NPN
IC Continuous (A): 0.1
V(BR)CEO Min (V): 50
hFE Min: 8
R1 (kΩ): 2.2
R2 (kΩ): 2.2
R1/R2 Typ: 1
Vi(off) Max (V): 0.5
Vi(on) Min (V): 2
Package Size (mm): 1.20 x 1.20 x 0.50
Package Type: SOT-723-3
MSL Type: 1
MSL Temp (°C): 260
ON Target: No
参考价格: $0.0293