状态: 量产中
Compliance: Pb A H P
Polarity: NPN
IC Continuous (A): 0.1
V(BR)CEO Min (V): 50
hFE Min: 8
R1 (kΩ): 2.2
R2 (kΩ): 2.2
R1/R2 Typ: 1
Vi(off) Max (V): 0.5
Vi(on) Min (V): 2
Package Size (mm): 1.20 x 1.20 x 0.50
Package Type: SOT-723-3
MSL Type: 1
MSL Temp (°C): 260
ON Target: No
参考价格: $0.0293
ZXTP25040DFLTA
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 40 V 1.5 A 270MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1.5 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 300 @ 10mA，2V
功率 - 最大值: 350 mW
频率 - 跃迁: 270MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
ZXTP25040DFLTA-W
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
MMBT2222A-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 350 mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23
MMBT2222A
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 250MHz 250 mW 表面贴装型 SOT-23（TO-236）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 250 mW
频率 - 跃迁: 250MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23（TO-236）
MMBT2222ALT1G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 225 mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
MMBT2222A-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 310 mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
SMMBT2222ALT1G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 225 mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
MMBT2222ALP4-7B
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 460 mW 表面贴装型 X2-DFN1006-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 460 mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 3-XFDFN
供应商器件封装: X2-DFN1006-3
MMBT2222A-AQ
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 250MHz 250 mW 表面贴装型 SOT-23（TO-236）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 250 mW
频率 - 跃迁: 250MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23（TO-236）