MMBT2222AWT3G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SC-70-3(SOT323)

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SC-70-3(SOT323)

MMBT2222ALT3G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

MMBT2222ATT3G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SC-75,SOT-416

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-75,SOT-416 供应商器件封装: SC-75,SOT-416

MMBT2222ATT1G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SC-75,SOT-416

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-75,SOT-416 供应商器件封装: SC-75,SOT-416

MMBT2222A_R1_00001

制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 225 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 225 mW 频率 - 跃迁: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

MMBT2222A-7-F-W

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 310 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3

MMBT2222ARFG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

SMMBT2222ALT3G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

MMBT2222AHRFG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 350 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

MMBT2222A-AU_R1_000A1

制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 225 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 225 mW 频率 - 跃迁: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23