IRF9Z34NS


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -55V Single P-Channel IR MOSFET in a D2-Pak package

Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: P P[tot] max: 68.0W R[thJC] max: 2.2K/W V[DS] max: -55.0V V[GS] max: 20.0V Package: D2PAK (TO-263) Q[gd]: 10.7nC T[j] max: 175.0°C R[DS (on)](@10V) max: 100.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 23.3nC I[D ](@25°C) max: -19.0A Budgetary Price €/1k: 0.45
Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: P P[tot] max: 110.0W R[thJC] max: 1.4K/W V[DS] max: -55.0V V[GS] max: 20.0V Package: D2PAK (TO-263) Q[gd]: 19.3nC T[j] max: 175.0°C R[DS (on)](@10V) max: 60.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 42.0nC I[D ](@25°C) max: -31.0A Budgetary Price €/1k: 0.46

IRF4905S


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

P[tot] max: 170.0W T[j] max: 150.0°C Package: D2PAK (TO-263) R[thJC] max: 0.75K/W V[GS] max: 20.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: P Q[gd]: 57.3nC V[DS] max: -55.0V R[DS (on)](@10V) max: 20.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 120.0nC I[D ](@25°C) max: -70.0A Budgetary Price €/1k: 1.1

IRFR9024N


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -55V Single P-Channel IR MOSFET in a D-Pak package

Moisture Sensitivity Level: 1 P[tot] max: 38.0W R[thJC] max: 3.3K/W V[DS] max: -55.0V Mounting: SMD Package: DPAK (TO-252) Polarity: P Q[gd]: 6.7nC T[j] max: 150.0°C V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 175.0mΩ R[DS (on)](@10V) max: 175.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 12.7nC Q[G](typ @10V): 12.7nC I[D ](@25°C) max: -11.0A I[D ](@25°C) max: -11.0A Budgetary Price €/1k: 0.19 Budgetary Price €/1k: 0.19

IRFR5305


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package

Mounting: SMD Q[gd]: 19.3nC T[j] max: 175.0°C Moisture Sensitivity Level: 1 Package: DPAK (TO-252) Polarity: P P[tot] max: 89.0W R[thJC] max: 1.4K/W V[DS] max: -55.0V V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 65.0mΩ R[DS (on)](@10V) max: 65.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 42.0nC Q[G](typ @10V): 42.0nC I[D ](@25°C) max: -31.0A I[D ](@25°C) max: -31.0A Budgetary Price €/1k: 0.3 Budgetary Price €/1k: 0.29

IRFR5505


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -55V Single P-Channel IR MOSFET in a D-Pak package

Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Package: DPAK (TO-252) P[tot] max: 57.0W R[thJC] max: 2.2K/W V[DS] max: -55.0V V[GS] max: 20.0V Polarity: P Q[gd]: 10.0nC T[j] max: 150.0°C R[DS (on)](@10V) max: 110.0mΩ R[DS (on)](@10V) max: 110.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 21.3nC Q[G](typ @10V): 21.3nC I[D ](@25°C) max: -18.0A I[D ](@25°C) max: -18.0A Budgetary Price €/1k: 0.28

IRF4905L


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-262 package

P[tot] max: 200.0W T[j] max: 150.0°C Package: I2PAK (TO-262) R[thJC] max: 0.75K/W V[GS] max: 20.0V Mounting: THT Polarity: P Q[gd]: 57.3nC V[DS] max: -55.0V R[DS (on)](@10V) max: 20.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 120.0nC I[D ](@25°C) max: -70.0A Budgetary Price €/1k: 0.84

IRFU5305


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -55V Single P-Channel Power MOSFET in a I-Pak package

Polarity: P R[thJC] max: 1.4K/W V[DS] max: -55.0V Mounting: THT Package: IPAK (TO-251) P[tot] max: 89.0W Q[gd]: 19.3nC T[j] max: 175.0°C V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 65.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 42.0nC I[D ](@25°C) max: -31.0A Budgetary Price €/1k: 0.33

IRFU9024N


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -55V Single P-Channel Power MOSFET in a I-Pak package

Polarity: P Q[gd]: 6.7nC T[j] max: 150.0°C V[DS] max: -55.0V Mounting: THT Package: IPAK (TO-251) P[tot] max: 38.0W R[thJC] max: 3.3K/W V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 175.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 12.7nC I[D ](@25°C) max: -11.0A Budgetary Price €/1k: 0.2

IRF4905


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package

Package: TO-220 T[j] max: 175.0°C Mounting: THT Polarity: P P[tot] max: 200.0W Q[gd]: 57.3nC R[thJC] max: 0.75K/W V[DS] max: -55.0V V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 20.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 120.0nC I[D ](@25°C) max: -74.0A Budgetary Price €/1k: 0.66