IRF5305
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Package: TO-220
Q[gd]: 19.3nC
T[j] max: 175.0°C
Mounting: THT
Polarity: P
P[tot] max: 110.0W
R[thJC] max: 1.4K/W
V[DS] max: -55.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 60.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 42.0nC
I[D ](@25°C) max: -31.0A
Budgetary Price €/1k: 0.39
IRF9Z34N
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Mounting: THT
Package: TO-220
Polarity: P
P[tot] max: 56.0W
Q[gd]: 10.7nC
R[thJC] max: 2.7K/W
T[j] max: 175.0°C
V[DS] max: -55.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 100.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 23.3nC
I[D ](@25°C) max: -19.0A
Budgetary Price €/1k: 0.28
Moisture Sensitivity Level: 1
Package: SO-8
Polarity: P
Q[gd]: 17.0nC
T[j] max: 150.0°C
V[GS] max: 20.0V
Mounting: SMD
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W
R[thJA] max: 50.0K/W
V[DS] max: -40.0V
R[DS (on)](@10V) max: 15.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 25.0mΩ
V[GS(th)]: -2.0V
Q[G](typ @10V): 73.0nC
I[D ](@25°C) max: -10.5A
Budgetary Price €/1k: 0.52
IPD042P03L3G
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -30 V, D-PAK
I[Dpuls] max: -280.0A
V[GS(th)] max: -1.0V
R[th]: 1.0K/W
P[tot] max: 150.0W
V[DS] max: -30.0V
Package: DPAK (TO-252)
C[iss]: 9290.0pF
C[oss]: 3570.0pF
I[D ](@25°C) max: -70.0A
Q[G](typ @10V): 131.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 4.2mΩ
Polarity: P
Operating Temperature min: -55.0°C
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.62
SPD50P03LG
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: P-Channel Power MOSFET -30 V in DPAK package
R[th]: 1.0K/W
I[Dpuls] max: -200.0A
P[tot] max: 150.0W
V[DS] max: -30.0V
C[iss]: 4590.0pF
C[oss]: 1220.0pF
Package: DPAK (TO-252)
I[D ](@25°C) max: -50.0A
Q[G](typ @10V): -95.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 7.0mΩ
V[GS(th)]: -1.5V
Polarity: P
Operating Temperature min: -55.0°C
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.72
BSZ120P03NS3G
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.
I[Dpuls] max: -160.0A
R[th]: 2.4K/W
P[tot] max: 52.0W
V[DS] max: -30.0V
C[iss]: 2240.0pF
C[oss]: 1090.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 12.0mΩ
Package: PQFN 3.3 x 3.3
I[D ](@25°C) max: -40.0A
Q[G](typ @10V): 30.0nC
V[GS(th)]: -2.5V
Polarity: P
Operating Temperature min: -55.0°C
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.21
IRFHM9331
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -30V Single P-Channel Power MOSFET in a PQFN 3mm x 3mm package
Moisture Sensitivity Level: 1
Mounting: SMD
Polarity: P
Ptot(@ TA=25°C): NoneW
Qgd: 8.0nC
RthJC: NoneK/W
Tj: None°C
VDS: NoneV
VGS: NoneV
RDS (on)(@10V): NonemΩ
VGS(th): -1.8V
ID (@25°C): NoneA
QG(typ @4.5V): 16.0nC
Package: PQFN 3.3 x 3.3
Budgetary Price €/1k: 0.2
BSZ180P03NS3EG
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.
I[Dpuls] max: -158.0A
R[th]: 3.1K/W
P[tot] max: 40.0W
V[DS] max: -30.0V
C[iss]: 1480.0pF
C[oss]: 744.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 18.0mΩ
Package: PQFN 3.3 x 3.3
I[D ](@25°C) max: 39.6A
Q[G](typ @10V): 20.0nC
V[GS(th)]: -2.5V
Polarity: P
Operating Temperature min: -55.0°C
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.2
BSZ086P03NS3EG
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.
I[Dpuls] max: -160.0A
R[th]: 1.8K/W
P[tot] max: 69.0W
V[DS] max: -30.0V
C[iss]: 3190.0pF
C[oss]: 1520.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 8.6mΩ
Package: PQFN 3.3 x 3.3
I[D ](@25°C) max: -40.0A
Q[G](typ @10V): 43.2nC
V[GS(th)]: -2.5V
Polarity: P
Operating Temperature min: -55.0°C
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.26
BSZ086P03NS3G
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.
I[Dpuls] max: -160.0A
R[th]: 1.8K/W
P[tot] max: 69.0W
V[DS] max: -30.0V
C[iss]: 3190.0pF
C[oss]: 1520.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 8.6mΩ
Package: PQFN 3.3 x 3.3
I[D ](@25°C) max: -40.0A
Q[G](typ @10V): 43.2nC
V[GS(th)]: -2.5V
Polarity: P
Operating Temperature min: -55.0°C
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.27