IPB055N08NF2S


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 80 V in D²PAK package

I[D ](@25°C) max: 94.0A I[Dpuls] max: 376.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 107.0W Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 36.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.5mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 36-48 V Budgetary Price €/1k: 0.63

IPB015N06NF2S


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 60 V in D²PAK package

I[D ](@25°C) max: 195.0A I[D ] max: 195.0A I[Dpuls] max: 780.0A Mounting: SMD Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 250.0W Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 155.0nC Q[G]: 155.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.5mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V Battery voltage: 24-66 V Budgetary Price €/1k: 1.05

IPB040N08NF2S


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 80 V in D²PAK package

I[D ](@25°C) max: 107.0A I[Dpuls] max: 428.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 150.0W Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 54.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.0mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 36-48 V Budgetary Price €/1k: 1.09

IRF40B207


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 40V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package

Mounting: THT Ptot: NoneW RthJC: NoneK/W Package: TO-220 Polarity: N Qgd: 15.0nC Tj: None°C VDS: NoneV VGS: NoneV RDS (on)(@10V): NonemΩ VGS(th): 3.0V QG(typ @10V): 45.0nC ID (@25°C): NoneA Operating Temperature: None°C Budgetary Price €/1k: 0.34

IRFS7537


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Polarity: N Q[gd]: 43.0nC T[j] max: 175.0°C Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Package: D2PAK (TO-263) P[tot] max: 230.0W V[DS] max: 60.0V R[thJC] max: 0.65K/W V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 3.3mΩ V[GS(th)]: 2.9V Q[G](typ @10V): 142.0nC I[D ](@25°C) max: 173.0A Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 24-36 V Budgetary Price €/1k: 0.72
R[th]: 2.6K/W P[tot] max: 48.0W V[DS] max: 30.0V Q[G](typ @4.5V): 13.0nC R[thJC] max: 2.6K/W I[Dpuls] max: 316.0A Polarity: N C[iss]: 2100.0pF C[oss]: 790.0pF Q[G](typ @10V): 26.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 7.5mΩ R[DS (on)](@4.5V LL) max: 7.5mΩ Package: SuperSO8 5x6 I[D ](@25°C) max: 80.0A V[GS(th)]: 1.69V Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.23
I[Dpuls] max: 400.0A R[th]: 1.1K/W P[tot] max: 136.0W V[DS] max: 60.0V Q[G](typ @10V): 56.0nC Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N C[iss]: 4100.0pF C[oss]: 980.0pF R[DS (on)](@10V) max: 2.6mΩ I[D ](@25°C) max: 100.0A V[GS(th)]: 2.8V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 24-36 V Budgetary Price €/1k: 0.76

IPB016N08NF2S


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 80 V in D²PAK package

I[D ](@25°C) max: 170.0A I[Dpuls] max: 680.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 300.0W Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 170.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.65mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 36-48 V Budgetary Price €/1k: 1.66

IRFB7437


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 40V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package

Mounting: THT Package: TO-220 P[tot] max: 230.0W Q[gd]: 51.0nC T[j] max: 175.0°C V[GS] max: 20.0V Polarity: N R[thJC] max: 0.65K/W V[DS] max: 40.0V R[DS (on)](@10V) max: 2.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 150.0nC I[D ](@25°C) max: 195.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.58

IRFB7446


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 40V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package

T[j] max: 175.0°C Mounting: THT Package: TO-220 P[tot] max: 99.0W Q[gd]: 20.0nC V[DS] max: 40.0V Polarity: N R[thJC] max: 1.52K/W V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 3.3mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 62.0nC I[D ](@25°C) max: 120.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.36