IPB068N20NM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in D²PAK 3-pin package
I[D ](@25°C) max: 134.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: D2PAK (TO-263)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 73.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 6.8mΩ
V[DS] max: 200.0V
V[GS(th)]: 3.7V
Budgetary Price €/1k: 3.25
IRLR3110Z
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
Moisture Sensitivity Level: 1
Mounting: SMD
Polarity: N
P[tot] max: 140.0W
Q[gd]: 15.0nC
R[thJC] max: 1.05K/W
V[DS] max: 100.0V
V[GS] max: 16.0V
Package: DPAK (TO-252)
T[j] max: 175.0°C
R[DS (on)](@10V) max: 14.0mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 14.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 16.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 16.0mΩ
V[GS(th)]: 1.75V
V[GS(th)]: 1.75V
I[D ](@25°C) max: 63.0A
I[D ](@25°C) max: 63.0A
Q[G](typ @4.5V): 34.0nC
Q[G](typ @4.5V): 34.0nC
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Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.52
IRFR4620
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 200V Single N-Channel Power MOSFET in a D-Pak package
P[tot] max: 144.0W
T[j] max: 175.0°C
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N
Mounting: SMD
Package: DPAK (TO-252)
Q[gd]: 7.9nC
R[thJC] max: 1.045K/W
V[DS] max: 200.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 78.0mΩ
V[GS(th)]: 4.0V
Q[G](typ @10V): 25.0nC
I[D ](@25°C) max: 24.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.58
IPF016N10NF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in D²PAK 7-pin package
I[D ](@25°C) max: 274.0A
I[Dpuls] max: 1096.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 300.0W
Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 161.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 1.6mΩ
V[DS] max: 100.0V
V[GS(th)]: 3.0V
Battery voltage: 48-72 V
Budgetary Price €/1k: 2.11
IPD052N10NF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in DPAK
I[D ](@25°C) max: 118.0A
I[D ] max: 118.0A
I[Dpuls] max: 472.0A
Mounting: SMD
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 150.0W
Package: DPAK (TO-252)
Pin Count: 3.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 51.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 5.2mΩ
R[DS (on)] max: 5.2mΩ
V[DS] max: 100.0V
V[GS(th)]: 3.0V
Budgetary Price €/1k: 0.66
IRF6644
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MN package
P[tot] max: 89.0W
Moisture Sensitivity Level: 1
Mounting: SMD
Polarity: N
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.8W
Q[gd]: 11.5nC
R[thJC] max: 1.4K/W
T[j] max: 150.0°C
V[DS] max: 100.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 13.0mΩ
V[GS(th)]: 3.7V
Q[G](typ @10V): 28.0nC
Micro-stencil: IRF66MN-25
I[D ](@25°C) max: 57.0A
Package: DirectFET (M)
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.85
IRF6775M
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MZ package
Mounting: SMD
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.8W
P[tot] max: 89.0W
Q[gd]: 6.6nC
R[thJC] max: 1.4K/W
V[DS] max: 150.0V
V[GS] max: 20.0V
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N
T[j] max: 150.0°C
R[DS (on)](@10V) max: 56.0mΩ
V[GS(th)]: 4.0V
Q[G](typ @10V): 25.0nC
Micro-stencil: IRF66MZ-25
I[D ](@25°C) max: 28.0A
Package: DirectFET (M)
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.66
IRF7769L1
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ L8 package
Mounting: SMD
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 3.3W
Q[gd]: 110.0nC
T[j] max: 175.0°C
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N
P[tot] max: 125.0W
R[thJA] max: 45.0K/W
V[DS] max: 100.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 3.5mΩ
V[GS(th)]: 2.7V
Q[G](typ @10V): 200.0nC
Micro-stencil: IRF66L8-25
I[D ](@25°C) max: 124.0A
Package: DirectFET (L)
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 1.85
IRF7779L2
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MP package
Mounting: SMD
Polarity: N
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 3.3W
Q[gd]: 33.0nC
T[j] max: 175.0°C
V[GS] max: 20.0V
Moisture Sensitivity Level: 1
P[tot] max: 125.0W
R[thJC] max: 1.2K/W
V[DS] max: 150.0V
R[DS (on)](@10V) max: 11.0mΩ
V[GS(th)]: 4.0V
Q[G](typ @10V): 97.0nC
Micro-stencil: IRF66L8-25
I[D ](@25°C) max: 67.0A
Package: DirectFET (L)
Operating Temperature max: 175.0°C
Battery voltage: 72-96 V
Budgetary Price €/1k: 2.44
I[Dpuls] max: 448.0A
Mounting: THT
P[tot] max: 214.0W
Package: I2PAK (TO-262)
Pin Count: 3.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 49.0nC
Q[gd]: 10.0nC
R[th]: 0.7K/W
R[thJA] max: 62.0K/W
R[thJC] max: 0.7K/W
V[DS] max: 150.0V
C[iss]: 3600.0pF
C[oss]: 900.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 7.6mΩ
I[D ](@25°C) max: 112.0A
V[GS(th)]: 3.8V
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 1.99