IRF6645
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ SJ package
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 3.0W
Q[gd]: 4.8nC
T[j] max: 150.0°C
V[GS] max: 20.0V
Mounting: SMD
P[tot] max: 42.0W
R[thJC] max: 3.0K/W
V[DS] max: 100.0V
R[DS (on)](@10V) max: 35.0mΩ
V[GS(th)]: 3.95V
Q[G](typ @10V): 14.0nC
Micro-stencil: IRF66SJ-25
I[D ](@25°C) max: 25.0A
Package: DirectFET (S)
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.47
I[Dpuls] max: 44.0A
R[th]: 2.0K/W
P[tot] max: 62.5W
V[DS] max: 250.0V
Q[G](typ @10V): 8.6nC
Polarity: N
C[iss]: 690.0pF
C[oss]: 44.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 165.0mΩ
Package: PQFN 3.3 x 3.3
I[D ](@25°C) max: 10.9A
V[GS(th)]: 3.0V
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.71
ISZ330N12LM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET logic level 120 V in PQFN 3.3 x 3.3 package
I[D ](@25°C) max: 24.0A
I[Dpuls] max: 96.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 43.0W
Package: PQFN 3.3 x 3.3
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 3.6nC
Q[G](typ @10V): 6.8nC
R[DS (on)](@10V) max: 33.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 44.6mΩ
V[DS] max: 120.0V
V[GS(th)]: 1.7V
Battery voltage: 48-72 V
Budgetary Price €/1k: 0.39
BSZ096N10LS5
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package
I[Dpuls] max: 248.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 69.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 12.0nC
Q[gd]: 4.1nC
R[th] max: 1.8K/W
R[thJA] max: 62.0K/W
R[thJC] max: 1.8K/W
V[DS] max: 100.0V
C[iss]: 1600.0pF
C[oss]: 250.0pF
Q[G](typ @10V): 22.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 9.6mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 13.5mΩ
R[DS (on)](@4.5V LL) max: 13.5mΩ
Package: PQFN 3.3 x 3.3
I[D ](@25°C) max: 62.0A
V[GS(th)]: 1.7V
更多
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.54
ISZ106N12LM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET logic level 120 V in PQFN 3.3 x 3.3 package
I[D ](@25°C) max: 62.0A
I[Dpuls] max: 248.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 94.0W
Package: PQFN 3.3 x 3.3
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 10.4nC
Q[G](typ @10V): 19.6nC
R[DS (on)](@10V) max: 10.6mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 14.2mΩ
V[DS] max: 120.0V
V[GS(th)]: 1.7V
Battery voltage: 48-72 V
Budgetary Price €/1k: 0.71
ISZ113N10NM5LF2
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 Single N-Channel Linear FET 100 V, 11.3 mΩ, 63 A in a PQFN 3.3x3.3 package
I[D ](@25°C) max: 63.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: PQFN 3.3 x 3.3
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 23.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 11.3mΩ
V[DS] max: 100.0V
V[GS(th)]: 3.1V
Special Features: Wide SOA
Budgetary Price €/1k: 0.77
BSZ146N10LS5
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package
I[Dpuls] max: 160.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 52.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 7.6nC
Q[gd]: 2.8nC
R[th] max: 2.4K/W
R[thJA] max: 62.0K/W
R[thJC] max: 2.4K/W
V[DS] max: 100.0V
C[iss]: 1000.0pF
C[oss]: 170.0pF
Q[G](typ @10V): 15.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 14.6mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 20.8mΩ
R[DS (on)](@4.5V LL) max: 20.8mΩ
Package: PQFN 3.3 x 3.3
I[D ](@25°C) max: 40.0A
V[GS(th)]: 1.7V
更多
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.42
I[Dpuls] max: 100.0A
R[th]: 1.1K/W
P[tot] max: 136.0W
V[DS] max: 250.0V
Q[G](typ @10V): 22.0nC
Package: DPAK (TO-252)
Polarity: N
C[iss]: 1770.0pF
C[oss]: 101.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 60.0mΩ
I[D ](@25°C) max: 25.0A
V[GS(th)]: 3.0V
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 1.03
IPD130N10NF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in DPAK
I[D ](@25°C) max: 52.0A
I[D ] max: 52.0A
I[Dpuls] max: 208.0A
Mounting: SMD
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 71.0W
Package: DPAK (TO-252)
Pin Count: 3.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 18.6nC
Q[G]: 18.6nC
R[DS (on)](@10V) max: 13.0mΩ
R[DS (on)] max: 13.0mΩ
V[DS] max: 100.0V
V[GS(th)]: 3.0V
Budgetary Price €/1k: 0.37
ISZ520N20NM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V in PQFN 3.3x3.3 package
I[D ](@25°C) max: 26.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 9.9nC
R[DS (on)](@10V) max: 52.0mΩ
V[DS] max: 200.0V
V[GS(th)]: 3.7V
Budgetary Price €/1k: 0.69