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ISZ143N13NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 135 V Normal Level in PQFN 3.3x3.3 package

I[D ](@25°C) max: 54.0A I[Dpuls] max: 216.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead Polarity: N Q[G](typ @10V): 21.0nC R[DS (on)](@10V) max: 14.3mΩ V[DS] max: 135.0V V[GS(th)]: 3.0V Budgetary Price €/1k: 0.96

ISZ230N10NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 100 V Normal Level in PQFN 3.3x3.3 package

I[D ](@25°C) max: 31.0A I[D ] max: 31.0A I[Dpuls] max: 124.0A Mounting: SMT P[tot] max: 48.0W Package: PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 7.4nC Q[G]: 7.4nC R[DS (on)](@10V) max: 23.0mΩ R[DS (on)] max: 23.0mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 2.8V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.39

IQE220N15NM5CG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 low-voltage power MOSFET 150 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate package

I[D ](@25°C) max: 44.0A I[Dpuls] max: 176.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 100.0W Package: PQFN 3.3x3.3 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 14.6nC R[DS (on)](@10V) max: 22.0mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Budgetary Price €/1k: 0.9

IRF150DM115

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 150 V single N-channel OptiMOS™ MOSFET in DirectFET™ package

Operating Temperature max: 150.0°C Package: DirectFET Polarity: N Q[G](typ @10V): 33.0nC R[DS (on)](@10V) max: 11.3mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V I[D ](@25°C) max: 60.0A Budgetary Price €/1k: 1.26

ISZ080N10NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 100 V Normal Level in PQFN 3.3x3.3 package

I[D ](@25°C) max: 75.0A I[D ] max: 75.0A I[Dpuls] max: 300.0A Mounting: SMT P[tot] max: 100.0W Package: PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 19.0nC Q[G]: 19.0nC R[DS (on)](@10V) max: 8.04mΩ R[DS (on)] max: 8.04mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 2.8V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.57

IQE220N15NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 low-voltage power MOSFET 150 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package

I[D ](@25°C) max: 44.0A I[Dpuls] max: 176.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 100.0W Package: PQFN 3.3x3.3 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 14.4nC R[DS (on)](@10V) max: 22.0mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Budgetary Price €/1k: 0.92

IQD020N10NM5CG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 100 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with industry leading RDS(on) .

I[D ](@25°C) max: 273.0A I[Dpuls] max: 1092.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 107.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.05mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Special Features: Center-Gate Budgetary Price €/1k: 1.95

IQD063N15NM5CG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 150 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with industry-leading RDS(on) .

I[D ](@25°C) max: 148.0A I[Dpuls] max: 592.0A Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 48.0nC R[DS (on)](@10V) max: 6.32mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Special Features: Center-Gate Budgetary Price €/1k: 2.04

BSZ900N20NS3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

I[Dpuls] max: 61.0A R[th]: 2.5K/W P[tot] max: 62.5W V[DS] max: 200.0V Q[G](typ @10V): 8.7nC Polarity: N C[iss]: 690.0pF C[oss]: 52.0pF R[DS (on)](@10V) max: 90.0mΩ Package: PQFN 3.3 x 3.3 I[D ](@25°C) max: 15.2A V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.5

ISG0616N10NM5HSC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 dual n-channel 100 V MOSFETs in scalable power block with dual-side cooling capability

I[D ](@25°C) max: 139.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: Power Block 6.3x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 52.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.0mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Special Features: Symmetrical Half-bridge Budgetary Price €/1k: 2.04