IQE220N15NM5CG
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 low-voltage power MOSFET 150 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate package
物料参数
| I[D ](@25°C) max: | 44.0A |
| I[Dpuls] max: | 176.0A |
| Operating Temperature max: | 175.0°C |
| P[tot] max: | 100.0W |
| Package: | PQFN 3.3x3.3 Source-Down |
| Polarity: | N |
| Q[G](typ @10V): | 14.6nC |
| R[DS (on)](@10V) max: | 22.0mΩ |
| V[DS] max: | 150.0V |
| V[GS(th)]: | 3.8V |
| Budgetary Price €/1k: | 0.9 |
