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IPTG025N10NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 206.0A Package: TOLG (HSOG-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 96.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.5mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.78

IPTG039N15NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 190.0A I[D ] max: 190.0A I[Dpuls] max: 760.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 319.0W Package: TOLG (HSOG-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 74.0nC Q[G]: 74.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.9mΩ R[DS (on)] max: 3.9mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Battery voltage: 72-96 V Budgetary Price €/1k: 2.54

IPTG063N15NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 122.0A I[D ] max: 122.0A I[Dpuls] max: 488.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 214.0W Package: TOLG (HSOG-8) Polarity: N Q[G]: 50.0nC Q[G](typ @10V): 50.0nC R[DS (on)](@10V) max: 6.3mΩ R[DS (on)] max: 6.3mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Budgetary Price €/1k: 1.92

IPTG018N10NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 273.0A Package: TOLG (HSOG-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 122.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.8mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.69

IPTG014N10NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 366.0A I[Dpuls] max: 1464.0A Mounting: SMT P[tot] max: 375.0W Package: TOLG (HSOG-8) Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 169.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.4mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 48-72 V Budgetary Price €/1k: 2.02

IPTG029N13NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 135 V Normal Level in TOLG

I[D ](@25°C) max: 212.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLG (HSOG-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 104.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.9mΩ V[DS] max: 135.0V V[GS(th)]: 3.0V Budgetary Price €/1k: 2.73

IPTG044N15NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 174.0A I[D ] max: 174.0A I[Dpuls] max: 696.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 300.0W Package: TOLG (HSOG-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 71.0nC Q[G]: 71.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.4mΩ R[DS (on)] max: 4.4mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Budgetary Price €/1k: 2.23

IPTG020N13NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 135 V Normal Level in TOLG

I[D ](@25°C) max: 297.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLG (HSOG-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 159.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.0mΩ V[DS] max: 135.0V V[GS(th)]: 3.0V Budgetary Price €/1k: 3.57

IPT026N10N5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in TO-Leadless (TOLL) package with 60% space reduction for telecom and low voltage drives applications

I[D ](@25°C) max: 202.0A I[D ](@ T[C]=25°C) max: 202.0A I[Dpuls] max: 808.0A P[tot] max: 214.0W Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 96.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.6mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Package: TOLL (HSOF-8) Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.4

IPT017N10NF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 294.0A I[Dpuls] max: 1176.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 300.0W Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 130.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.75mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 48-72 V Budgetary Price €/1k: 1.35