RH7G04CBJFRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 40A（Tc） 62W（Tc） DFN3333T8LSAB
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +5V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1850 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 62W（Tc）
工作温度: 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN3333T8LSAB
封装/外壳: 8-PowerTDFN
AG543EGS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 28A（Tc） 36W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 46 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +5V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 660 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 36W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
AG166FNH7FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 40A（Ta） 62W（Tc） DFN3333T8LSAB
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.7 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 960 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 62W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN3333T8LSAB
封装/外壳: 8-PowerTDFN
RH7G04BBKFRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 40A（Tc） 75W（Tc） DFN3333T8LSAB
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.1 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 26.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1750 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN3333T8LSAB
封装/外壳: 8-PowerTDFN
AG542EGS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 67A（Tc） 75W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 67A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16.6 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +5V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1710 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
RH7P04BBKFRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 75W（Tc） DFN3333T8LSAB
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13.8mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1030 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN3333T8LSAB
封装/外壳: 8-PowerTDFN
RH7L04BBJFRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 60 V 40A（Tc） 75W（Tc） DFN3333T8LSAB
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +5V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2660 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN3333T8LSAB
封装/外壳: 8-PowerTDFN
RH7P04BBLFRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 75W（Tc） DFN3333T8LSAB
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15.1 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 4.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1170 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN3333T8LSAB
封装/外壳: 8-PowerTDFN
AG541EGS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 120A（Tc） 125W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.9 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 96 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +5V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5100 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
AG160FNS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 120A（Tc） 150W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.2 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3910 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669