AG040FGS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 120A（Tc） 150W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.4 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 4.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4660 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
AG145FLS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 120A（Tc） 150W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.6 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4310 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
AG140FGS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 120A（Tc） 150W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.4 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4930 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
AG045FLS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 120A（Ta） 150W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.6 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4390 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
TK065Z65Z,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 38A（Ta） 270W（Tc） TO-247-4L（T）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 65 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.69mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3650 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 270W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（T）
封装/外壳: TO-247-4
TK62Z60X,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-247-4L（T）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 61.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 40 毫欧 @ 21A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 3.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 135 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6500 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 400W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（T）
封装/外壳: TO-247-4
APT56F50B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 500 V 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 28A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 220 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8800 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 780W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
TK110Z65Z,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 24A（Ta） 190W（Tc） TO-247-4L（T）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.02mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2250 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（T）
封装/外壳: TO-247-4
APT38F80B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 800 V 41A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 240 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8070 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
RS4P063BPHZGTCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 34A（Ta），120A（Tc） 384W（Ta） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A（Ta），120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.3 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 8.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3590 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 384W（Ta）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669