APT5010B2FLLG
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 500 V 46A（Tc） 520W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4360 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 520W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
AG052FPS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 58A（Tc） 75W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 690 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
AG050FPS4FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 120A（Tc） 150W（Tc） HPLF5060T5LSAH
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.5 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 6.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2690 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: HPLF5060T5LSAH
封装/外壳: SC-100，SOT-669
RY7P250BMTBC
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 250A（Ta），300A（Tc） 340W（Tc） DFN8080T8LSHAAI
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250A（Ta），300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.86mOhm @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 15900 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 340W（Tc）
工作温度: 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN8080T8LSHAAI
封装/外壳: 8-PowerTDFN
APT29F100B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1000 V 30A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 440 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
TK31Z60X,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247-4L（T）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 88 毫欧 @ 9.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3000 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 230W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（T）
封装/外壳: TO-247-4
TK090Z65Z,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 30A（Ta） 230W（Tc） TO-247-4L（T）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 90 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.27mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2780 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 230W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L（T）
封装/外壳: TO-247-4
AG513EGH7FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 22A（Tc） 33W（Tc） DFN3333T8LSAB
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 49 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +5V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 660 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 33W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN3333T8LSAB
封装/外壳: 8-PowerTDFN
AG511EGH7FRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 40A（Tc） 62W（Tc） DFN3333T8LSAB
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +5V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1850 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 62W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN3333T8LSAB
封装/外壳: 8-PowerTDFN
RH7P02BBJFRATCB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 100 V 21A（Tc） 62W（Tc） DFN3333T8LSAB
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 136 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 3.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +5V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1330 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 62W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN3333T8LSAB
封装/外壳: 8-PowerTDFN