IRF630N
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 200V Single N-Channel MOSFET in a TO-220 package
Package: TO-220
T[j] max: 175.0°C
Mounting: THT
Polarity: N
P[tot] max: 82.0W
Q[gd]: 11.3nC
R[thJC] max: 1.83K/W
V[DS] max: 200.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 300.0mΩ
V[GS(th)]: 3.0V
Q[G](typ @10V): 23.3nC
I[D ](@25°C) max: 9.3A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.26
I[Dpuls] max: 300.0A
R[th]: 1.1K/W
P[tot] max: 136.0W
V[DS] max: 120.0V
Q[G](typ @10V): 49.0nC
Package: TO-220
Polarity: N
C[iss]: 3240.0pF
C[oss]: 408.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 11.4mΩ
I[D ](@25°C) max: 75.0A
V[GS(th)]: 3.0V
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.73
IRF520N
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Mounting: THT
Package: TO-220
P[tot] max: 48.0W
Q[gd]: 7.3nC
T[j] max: 175.0°C
V[GS] max: 20.0V
Polarity: N
R[thJC] max: 3.1K/W
V[DS] max: 100.0V
R[DS (on)](@10V) max: 200.0mΩ
V[GS(th)]: 3.0V
Q[G](typ @10V): 16.7nC
I[D ](@25°C) max: 9.7A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.25
IRF540N
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Mounting: THT
Polarity: N
P[tot] max: 140.0W
R[thJC] max: 1.1K/W
V[DS] max: 100.0V
V[GS] max: 20.0V
Package: TO-220
Q[gd]: 14.0nC
T[j] max: 175.0°C
R[DS (on)](@10V) max: 44.0mΩ
V[GS(th)]: 3.0V
Q[G](typ @10V): 47.3nC
I[D ](@25°C) max: 33.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.34
IRL540N
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Package: TO-220
V[GS] max: 16.0V
Mounting: THT
Polarity: N
P[tot] max: 140.0W
Q[gd]: 25.3nC
R[thJC] max: 1.1K/W
T[j] max: 175.0°C
V[DS] max: 100.0V
R[DS (on)](@10V) max: 44.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 63.0mΩ
V[GS(th)]: 1.5V
I[D ](@25°C) max: 36.0A
Q[G](typ @4.5V): 49.3nC
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.37
IRFB4137
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 300V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
Mounting: THT
P[tot] max: 341.0W
Package: TO-220
Polarity: N
Q[gd]: 26.0nC
R[thJC] max: 0.44K/W
T[j] max: 175.0°C
V[DS] max: 300.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 69.0mΩ
V[GS(th)]: 4.0V
Q[G](typ @10V): 83.0nC
I[D ](@25°C) max: 38.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 1.46
IRF8010
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Package: TO-220
Polarity: N
Q[gd]: 26.0nC
R[thJC] max: 0.57K/W
T[j] max: 175.0°C
V[DS] max: 100.0V
V[GS] max: 20.0V
Mounting: THT
P[tot] max: 260.0W
R[DS (on)](@10V) max: 15.0mΩ
V[GS(th)]: 3.0V
Q[G](typ @10V): 81.0nC
Special Features: Wide SOA
I[D ](@25°C) max: 80.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.6
I[Dpuls] max: 400.0A
R[th]: 0.8K/W
P[tot] max: 188.0W
V[DS] max: 120.0V
Q[G](typ @10V): 76.0nC
Package: TO-220
Polarity: N
C[iss]: 4990.0pF
C[oss]: 632.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 7.6mΩ
I[D ](@25°C) max: 100.0A
V[GS(th)]: 3.0V
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.82
IRFI4321
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 150V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 FullPak package
Mounting: THT
Polarity: N
Q[gd]: 20.0nC
R[thJC] max: 2.73K/W
T[j] max: 150.0°C
V[DS] max: 150.0V
P[tot] max: 46.0W
V[GS] max: 30.0V
Package: TO-220 FullPAK
R[DS (on)](@10V) max: 16.0mΩ
V[GS(th)]: 4.0V
Q[G](typ @10V): 73.0nC
I[D ](@25°C) max: 34.0A
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 1.23
I[Dpuls] max: 180.0A
R[th]: 4.0K/W
P[tot] max: 37.5W
V[DS] max: 100.0V
Q[G](typ @10V): 42.0nC
Package: TO-220 FullPAK
Polarity: N
C[iss]: 2990.0pF
C[oss]: 523.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 8.6mΩ
I[D ](@25°C) max: 45.0A
V[GS(th)]: 2.7V
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.65