IRFR024NTRLPBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 55 V 17A（Tc） 45W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 370 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 45W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
BSZ018NE2LSIATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 25 V 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2500 pF @ 12 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），69W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳: 8-PowerTDFN
AIMBG120R160M1XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1200 V 17A（Tc） 106W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 200 毫欧 @ 5A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14 nC @ 20 V
Vgs（最大值）: +23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 350 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 106W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG120R017M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1200 V 107A（Tc） 470W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 107A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17.1 毫欧 @ 40.4A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 12.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 89 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2910 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 470W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG120R012M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1200 V 144A（Tc） 600W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 144A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12.2 毫欧 @ 56.7A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 17.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 124 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4050 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 600W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
AIMBG120R010M1XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1200 V 205A（Tc） 882W（Tc） PG-TO263-7
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 205A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.3 毫欧 @ 93A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 30mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 178 nC @ 20 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5703 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 882W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IPB057N06NATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 17A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO263-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Ta），45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.7 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2000 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SCT3160KW7HRTL
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1200 V 17A（Tc） TO-263-7L
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 208 毫欧 @ 5A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +22V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 398 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7L
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
DMN3032LE-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 29 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 498 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-3
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
BUK9Y40-55B,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 55 V 26A（Tc） 59W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1020 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 59W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳: SC-100，SOT-669