BST82,215
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 190mA（Ta） 830mW（Tc） TO-236AB
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10 欧姆 @ 150mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 40 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 830mW（Tc）
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-236AB
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IPP040N06NF2SAKMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 60 V 109A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） PG-TO220-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 109A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.3V @ 52µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3000 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），107W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
AUIRFR4620TRL
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 200 V 24A（Tc） 144W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 78 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1710 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 144W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SI4403DDY-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 15.4A（Tc） 5W（Tc） 8-SOIC
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14 毫欧 @ 9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 99 nC @ 8 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3250 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
TSM150P04LCSRLG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 22A（Tc） 12.5W（Tc） 8-SOP
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2783 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOP
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
SH8JB5TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 8.5A（Ta） 1.4W（Ta） 表面贴装型 8-SOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 个 P 沟道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15.3 毫欧 @ 8.5A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2870pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.4W（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
SSM6J511NU,LF
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 14A（Ta） 6-UDFNB（2x2）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.1 毫欧 @ 4A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 47 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3350 pF @ 6 V
FET 功能: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-UDFNB（2x2）
封装/外壳: 6-WDFN 祼焊盘
IRF40H210
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 100A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.7 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.7V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 152 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5406 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
IPW60R125CFD7XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 18A（Tc） 92W（Tc） PG-TO247-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 125 毫欧 @ 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 390µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1503 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 92W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3
封装/外壳: TO-247-3
IPT007N06NATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.75 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.3V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 287 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 16000 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOF-8-1
封装/外壳: 8-PowerSFN