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FMMT491

制造商: EVVO
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 25 V 1.8 A 100MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1.8 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 25 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

FMMT491

制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 1 A 150MHz 500 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值: 500 mW 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

FMMT491-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 1 A 150MHz 500 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值: 500 mW 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

FMMT491B-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 1 A 150MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 300 @ 1mA，5V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

FMMT491BHE3-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 1 A 150MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 300 @ 500mA，5V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

BC807-40,235

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 500 mA 80MHz 250 mW 表面贴装型 TO-236AB

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 80MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: TO-236AB

BC807-40LT1G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 500 mA 100MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）

SBC807-40LT3G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 500 mA 100MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）

SBC807-40LT1G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 500 mA 100MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）

BC807-40LT3G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 500 mA 100MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）