IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 675 A 功率 - 最大值: 2250 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，450A 电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块