FS150R17KE3GBOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 1700 V 240 A 1050 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 240 A
功率 - 最大值: 1050 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.45V @ 15V，150A
电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.5 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS25R12W1T4B11BOMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 45 A 205 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 45 A
功率 - 最大值: 205 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.25V @ 15V，25A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.45 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS35R12W1T4B11BOMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 65 A 225 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 65 A
功率 - 最大值: 225 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.25V @ 15V，35A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 2 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FGH75T65SQD-F155
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 沟槽型场截止 650 V 150 A 375 W 通孔 TO-247-3
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 150 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A
功率 - 最大值: 375 W
开关能量: 760µJ（导通），180µJ（关断）
输入类型: 标准
栅极电荷: 128 nC
反向恢复时间 (trr): 43 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
IKZA40N65EH7XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 210 W 通孔 PG-TO247-4-3
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 1.65V @ 15V，40A
功率 - 最大值: 210 W
开关能量: 370µJ（导通），360µJ（关断）
输入类型: 标准
栅极电荷: 81 nC
25°C 时 Td（开/关）值: 13ns/134ns
测试条件: 400V，40A，12.5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr): 49.6 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-4
供应商器件封装: PG-TO247-4-3
FS300R12KE4BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 450 A 1600 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 450 A
功率 - 最大值: 1600 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，300A
电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 18.5 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FZ2400R17HE4PB9HPSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 单开关 1700 V 2400 A 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 单开关
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 2400 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，2400A
电流 - 集电极截止（最大值）: 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 195 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS200R12PT4BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 280 A 1000 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 280 A
功率 - 最大值: 1000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 14 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS100R12PT4BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 135 A 500 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 135 A
功率 - 最大值: 500 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.3 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS150R12PT4BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 200 A 680 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200 A
功率 - 最大值: 680 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，150A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 9.35 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块