FGA40N65SMD

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管

描述: IGBT,650V,40A,场截止

状态: Active, Not Rec Compliance: Pb A H P Family: - V(BR)CES Typ (V): 650 IC Max (A): 40 VCE(sat) Typ (V): 1.9 VF Typ (V): 2.1 Eoff Typ (mJ): 0.26 Eon Typ (mJ): 0.34 Trr Typ (ns): 200 Irr Typ (A): 3.6 Gate Charge Typ (nC): 119 Short Circuit Withstand (µs): - EAS Typ (mJ): - PD Max (W): 349 Co-Packaged Diode: Yes Package Type: TO-3P-3L MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: Yes 参考价格: $1.889

FGA40T65SHD

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管

描述: IGBT,650 V,40A,场截止沟槽

状态: Active Compliance: Pb A H P Family: - V(BR)CES Typ (V): 650 IC Max (A): 40 VCE(sat) Typ (V): 1.6 VF Typ (V): 2.2 Eoff Typ (mJ): 0.297 Eon Typ (mJ): 1.01 Trr Typ (ns): 192 Irr Typ (A): - Gate Charge Typ (nC): 72.2 Short Circuit Withstand (µs): - EAS Typ (mJ): - PD Max (W): 268 Co-Packaged Diode: Yes Package Type: TO-3P-3L MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: Y Reference Price: $1.5394

NVG450A120L5DSC

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管

描述: VE-Trac Dual – 汽车1200V 450A双侧散热半桥功率模块

状态: Active, Not Rec 相似产品推荐 Compliance: Pb A H P Configuration: Half-Bridge VBR Max (V): 1200 Rated Current (A): 450 VCE(sat) Typ (V): 1.59 VF Typ (V): 1.8 Application: Automotive Traction Inverter Package Type: AHPM15-CEA MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: F Reference Price: $315.2855

NXH160T120L2Q1SG

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管

描述: 功率集成模块(PIM)IGBT 1200V 160A和650V 100A

状态: Lifetime 相似产品推荐 Compliance: Pb A H P Configuration: Split T-Type Inverter VBR Max (V): 1200 Rated Current (A): 160 VCE(sat) Typ (V): 2.1 VF Typ (V): 2.2 Application: Industrial Package Type: Q1 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: N Reference Price: $77.683

NXH450N65L4Q2F2PG

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管

描述: 功率集成模块(PIM)I型NPC 650V 450A IGBT,650V 375A二极管

状态: Lifetime 相似产品推荐 Compliance: Pb A H P Configuration: I-Type VBR Max (V): 650 Rated Current (A): 450 VCE(sat) Typ (V): 1.49 VF Typ (V): 1.8 Application: Industrial Package Type: PIM36 93x47 (PRESSFIT) MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: N Reference Price: $112.8892

NXH450N65L4Q2F2SG

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管

描述: 功率集成模块(PIM)I型NPC 650V 450A IGBT,650V 375A二极管

状态: Lifetime 相似产品推荐 Compliance: Pb A H P Configuration: I-Type VBR Max (V): 650 Rated Current (A): 450 VCE(sat) Typ (V): 1.49 VF Typ (V): 1.8 Application: Industrial Package Type: Q2 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: N Reference Price: $110.3275
状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: Half-Bridge VBR Max (V): 1200 Rated Current (A): 800 VCE(sat) Typ (V): 1.7 VF Typ (V): 1.7 Application: CAV Package Type: PIM11, 152.00x62.15x17.00 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $211.7418

FZ400R12KE3B1HOSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管

描述: IGBT 模块 单路 1200 V 650 A 2250 W 底座安装 模块

IGBT 类型: - 配置: 单路 电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 650 A 功率 - 最大值: 2250 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块

FZ400R12KE3HOSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管

描述: IGBT 模块 单路 1200 V 650 A 2250 W 底座安装 模块

IGBT 类型: - 配置: 单路 电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 650 A 功率 - 最大值: 2250 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块

NXH50C120L2C2ES1G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管

描述: IGBT 模块 三相反相器,带制动器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP

IGBT 类型: - 配置: 三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A 功率 - 最大值: 20 mW 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值): 250 µA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 11.89 nF @ 20 V 输入: 三相桥式整流器 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: 26-PowerDIP 模块(1,199,47,20mm) 供应商器件封装: 26-DIP