FP15R12YT3BOMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 三相反相器 1200 V 25 A 110 W 底座安装 模块
IGBT 类型: -
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 25 A
功率 - 最大值: 110 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，15A
电流 - 集电极截止（最大值）: 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.1 nF @ 25 V
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
IGW75N60TFKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 沟槽型场截止 600 V 150 A 428 W 通孔 PG-TO247-3-1
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 150 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2V @ 15V，75A
功率 - 最大值: 428 W
开关能量: 4.5mJ
输入类型: 标准
栅极电荷: 470 nC
25°C 时 Td（开/关）值: 33ns/330ns
测试条件: 400V，75A，5 欧姆，15V
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: PG-TO247-3-1
IKW75N120CH7XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 沟槽型场截止 1200 V 92 A 549 W 通孔 PG-TO247-3-U06
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 92 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，75A
功率 - 最大值: 549 W
开关能量: 4.22mJ（导通），1.66mJ（关断）
输入类型: 标准
栅极电荷: 535 nC
25°C 时 Td（开/关）值: 55ns/461ns
测试条件: -
反向恢复时间 (trr): 145 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: PG-TO247-3-U06
FD1200R17HP4KB2BOSA2
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 单斩波器 1700 V 1200 A 6500 W 底座安装 AG-IHVB130-3
IGBT 类型: -
配置: 单斩波器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1200 A
功率 - 最大值: 6500 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.25V @ 15V，1.2kA
电流 - 集电极截止（最大值）: 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 97.5 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-IHVB130-3
FS150R12KT4PB11BPSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 150 A 750 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 150 A
功率 - 最大值: 750 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，150A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FP100R12KT4PB11BPSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 100 A 515 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 A
功率 - 最大值: 515 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6300 pF @ 25 V
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FF600R17ME4PBOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥逆变器 1700 V 600 A 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥逆变器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，600A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 48 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FF600R17ME4PB11BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥逆变器 1700 V 600 A 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥逆变器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，600A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 48 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FF450R12ME4PBOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 450 A 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 450 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，450A
电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FF450R12ME4PB11BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 450 A 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 450 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，450A
电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块