FF450R17ME4PBOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1700 V 900 A 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 900 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，450A
电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 36 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FF450R17ME4PB11BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1700 V 450 A 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 450 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，450A
电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 36 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS75R12W2T4B11BOMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 1200 V 107 A 375 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 107 A
功率 - 最大值: 375 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 4.3 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS75R12W2T4BOMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 1200 V 107 A 375 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 107 A
功率 - 最大值: 375 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 4.3 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS75R12W2T4PBPSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥反相器 1200 V 107 A 375 W 底座安装 AG-EASY2B
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 107 A
功率 - 最大值: 375 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 4.3 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-EASY2B
FS75R12W2T4PB11BPSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块
IGBT 类型: -
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: -
开关能量: -
输入类型: -
25°C 时 Td（开/关）值: -
测试条件: -
工作温度: -
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -
IXGH10N170A
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT NPT 1700 V 10 A 140 W 通孔 TO-247AD
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 10 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 20 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 6V @ 15V，5A
功率 - 最大值: 140 W
开关能量: 380µJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 29 nC
25°C 时 Td（开/关）值: 46ns/190ns
测试条件: 850V，10A，22 欧姆，15V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AD
IXGH6N170A
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT NPT 1700 V 6 A 75 W 通孔 TO-247AD
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 6 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 14 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 7V @ 15V，3A
功率 - 最大值: 75 W
开关能量: 590µJ（导通），180µJ（关断）
输入类型: 标准
栅极电荷: 18.5 nC
25°C 时 Td（开/关）值: 46ns/220ns
测试条件: 850V，6A，33 欧姆，15V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AD
IXGH16N170A
制造商: IXYS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT NPT 1700 V 16 A 190 W 通孔 TO-247AD
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 16 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 5V @ 15V，11A
功率 - 最大值: 190 W
开关能量: 900µJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 65 nC
25°C 时 Td（开/关）值: 36ns/160ns
测试条件: 850V，16A，10 欧姆，15V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AD