NSVMMBT2222AM3T5G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 640 mW 表面贴装型 SOT-723

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 640 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-723 供应商器件封装: SOT-723

MMBT2222AW

制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 2V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

MMBT2222AWT1G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SC-70-3(SOT323)

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SC-70-3(SOT323)

MMBT2222AM3T5G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 640 mW 表面贴装型 SOT-723

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 640 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-723 供应商器件封装: SOT-723

MMBT2222AT-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SOT-523

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-523 供应商器件封装: SOT-523

MMBT2222AQ-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 310 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3

NSVMMBT2222ATT1G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SC-75,SOT-416

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-75,SOT-416 供应商器件封装: SC-75,SOT-416

MMBT2222A-QR

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 250 mW 表面贴装型 TO-236AB

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C(TA) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: TO-236AB

AMMBT2222AM-HF

制造商: COMCHIP TECHNOLOGY
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 265 mW 表面贴装型 SOT-723

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 265 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-723 供应商器件封装: SOT-723

MMBT2222AM-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 100 mW 表面贴装型 SOT-723

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 100 mW 频率 - 跃迁: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-723 供应商器件封装: SOT-723