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MMBT2222ATS-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SOT-523

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SOT-523 供应商器件封装: SOT-523

MMBT2222A-13P

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 350 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

MMBT2222AT-7

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SOT-523

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SOT-523 供应商器件封装: SOT-523

MMBT2222A-7

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 310 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3

MMBT2222A

制造商: STMICROELECTRONICS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 270MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 350 mW 频率 - 跃迁: 270MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3

MMBT2222A-HF

制造商: COMCHIP TECHNOLOGY
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3

PHPT61002NYCLHX

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 100 V 2 A 140MHz 25 W 表面贴装型 LFPAK56，Power-SO8

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）: 50µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 120 @ 500mA，10V 功率 - 最大值: 25 W 频率 - 跃迁: 140MHz 工作温度: 175°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-100，SOT-669 供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8

BD439

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W 通孔 TO-126

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 4 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 800mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）: 100µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 40 @ 500mA，1V 功率 - 最大值: 36 W 频率 - 跃迁: 3MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装: TO-126

BC817-25-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 310 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

BC817-25,215

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 250 mW 表面贴装型 TO-236AB

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: TO-236AB