BC817-25QC-QZ

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 380 mW 表面贴装,可润湿侧翼 DFN1412D-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 380 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼 封装/外壳: 3-XDFN 祼焊盘 供应商器件封装: DFN1412D-3

BC817-25-7

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 310 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3

BC817-25T116

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 800 mA 150MHz 表面贴装型 SST3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): - 电流 - 集电极截止(最大值): - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SST3

FMBM5401-SB74001

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 150 V 600 mA 300MHz 700 mW 表面贴装型 SuperSOT™-6

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 150 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值: 700 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装: SuperSOT™-6

FMBM5401

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 150 V 600 mA 300MHz 700 mW 表面贴装型 SuperSOT™-6

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 150 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值: 700 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装: SuperSOT™-6

BC857BWHE3-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BWHRFG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BW

制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BW-AU_R1_000A1

制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 200MHz 250 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BW_R1_00001

制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 200MHz 250 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323