BC857BW-QX

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BW,135

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BW,115

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BW-AQ

制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BW-QF

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BWT1

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 SC-70-3(SOT323)

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SC-70-3(SOT323)

BC857BW-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BWH6327XTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 250MHz 250 mW 表面贴装型 PG-SOT323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 250MHz 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: PG-SOT323

BC849CW,115

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC849CW-QX

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323