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BCP52TF

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 1 A 140MHz 1.3 W 表面贴装型 SOT-223

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 63 @ 150mA，2V 功率 - 最大值: 1.3 W 频率 - 跃迁: 140MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223

BC817-16W,115

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC817-16W-QX

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

FMMT723TA

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 100 V 1 A 200MHz 625 mW 表面贴装型 SOT-23-3

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 330mV @ 150mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 @ 500mA，10V 功率 - 最大值: 625 mW 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3

SMBTA42E6327HTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 300 V 500 mA 70MHz 360 mW 表面贴装型 PG-SOT23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 300 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 40 @ 30mA，10V 功率 - 最大值: 360 mW 频率 - 跃迁: 70MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

BCX42E6433HTMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 125 V 800 mA 150MHz 330 mW 表面贴装型 PG-SOT23

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 125 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 900mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 40 @ 200mA，1V 功率 - 最大值: 330 mW 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

BC817-16E6327

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 170MHz 330 mW 表面贴装型 PG-SOT23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 330 mW 频率 - 跃迁: 170MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

BC817-40E6327

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 170MHz 330 mW 表面贴装型 PG-SOT23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 330 mW 频率 - 跃迁: 170MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

BC818-25E6327

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 25 V 500 mA 170MHz 330 mW 表面贴装型 PG-SOT23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 25 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 330 mW 频率 - 跃迁: 170MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

BCW66FE6327

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 800 mA 170MHz 330 mW 表面贴装型 PG-SOT23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 20nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 330 mW 频率 - 跃迁: 170MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23