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MJD112-1G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 100 V 2 A 25MHz 1.75 W 通孔 IPAK

晶体管类型: NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 3V @ 40mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）: 20µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 1000 @ 2A，3V 功率 - 最大值: 1.75 W 频率 - 跃迁: 25MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA 供应商器件封装: IPAK

BDW93CFTU

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 100 V 12 A 80 W 通孔 TO-220-3

晶体管类型: NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 12 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 3V @ 100mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 750 @ 5A，3V 功率 - 最大值: 80 W 频率 - 跃迁: - 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220-3

BDW93CTU

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 100 V 12 A 80 W 通孔 TO-220-3

BC858CW-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 100 mA 200MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC858CWH6327XTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 100 mA 250MHz 250 mW 表面贴装型 PG-SOT323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 250MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: PG-SOT323

BC858CW

制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC858CW-G

制造商: COMCHIP TECHNOLOGY
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC858CW-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC858CW-HF

制造商: COMCHIP TECHNOLOGY
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

ABC858CW-HF

制造商: COMCHIP TECHNOLOGY
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 100 mA 250MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 250MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323