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IPD042P03L3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -30 V, D-PAK

I[Dpuls] max: -280.0A V[GS(th)] max: -1.0V R[th]: 1.0K/W P[tot] max: 150.0W V[DS] max: -30.0V Package: DPAK (TO-252) C[iss]: 9290.0pF C[oss]: 3570.0pF I[D ](@25°C) max: -70.0A Q[G](typ @10V): 131.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.2mΩ Polarity: P Operating Temperature min: -55.0°C Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.62

SPD50P03LG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-Channel Power MOSFET -30 V in DPAK package

R[th]: 1.0K/W I[Dpuls] max: -200.0A P[tot] max: 150.0W V[DS] max: -30.0V C[iss]: 4590.0pF C[oss]: 1220.0pF Package: DPAK (TO-252) I[D ](@25°C) max: -50.0A Q[G](typ @10V): -95.0nC R[DS (on)](@10V) max: 7.0mΩ V[GS(th)]: -1.5V Polarity: P Operating Temperature min: -55.0°C Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.72

BSZ120P03NS3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max: -160.0A R[th]: 2.4K/W P[tot] max: 52.0W V[DS] max: -30.0V C[iss]: 2240.0pF C[oss]: 1090.0pF R[DS (on)](@10V) max: 12.0mΩ Package: PQFN 3.3 x 3.3 I[D ](@25°C) max: -40.0A Q[G](typ @10V): 30.0nC V[GS(th)]: -2.5V Polarity: P Operating Temperature min: -55.0°C Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.21

IRFHM9331

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -30V Single P-Channel Power MOSFET in a PQFN 3mm x 3mm package

Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: P Ptot(@ TA=25°C): NoneW Qgd: 8.0nC RthJC: NoneK/W Tj: None°C VDS: NoneV VGS: NoneV RDS (on)(@10V): NonemΩ VGS(th): -1.8V ID (@25°C): NoneA QG(typ @4.5V): 16.0nC Package: PQFN 3.3 x 3.3 Budgetary Price €/1k: 0.2

BSZ180P03NS3EG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max: -158.0A R[th]: 3.1K/W P[tot] max: 40.0W V[DS] max: -30.0V C[iss]: 1480.0pF C[oss]: 744.0pF R[DS (on)](@10V) max: 18.0mΩ Package: PQFN 3.3 x 3.3 I[D ](@25°C) max: 39.6A Q[G](typ @10V): 20.0nC V[GS(th)]: -2.5V Polarity: P Operating Temperature min: -55.0°C Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.2

BSZ086P03NS3EG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max: -160.0A R[th]: 1.8K/W P[tot] max: 69.0W V[DS] max: -30.0V C[iss]: 3190.0pF C[oss]: 1520.0pF R[DS (on)](@10V) max: 8.6mΩ Package: PQFN 3.3 x 3.3 I[D ](@25°C) max: -40.0A Q[G](typ @10V): 43.2nC V[GS(th)]: -2.5V Polarity: P Operating Temperature min: -55.0°C Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.26

BSZ086P03NS3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

BSZ180P03NS3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

IRF9317

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Package: SO-8 Q[gd]: 14.0nC Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: P P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W R[thJA] max: 50.0K/W T[j] max: 150.0°C V[DS] max: -30.0V V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 6.6mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 10.2mΩ V[GS(th)]: -1.8V I[D ](@25°C) max: -16.0A Q[G](typ @4.5V): 31.0nC Budgetary Price €/1k: 0.25

IRF9321

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Mounting: SMD P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W R[thJA] max: 50.0K/W V[DS] max: -30.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Package: SO-8 Polarity: P Q[gd]: 16.0nC T[j] max: 150.0°C V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 7.2mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 11.2mΩ V[GS(th)]: -1.8V I[D ](@25°C) max: -15.0A Q[G](typ @4.5V): 34.0nC Budgetary Price €/1k: 0.23