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IRLB3813

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package

Mounting: THT Polarity: N P[tot] max: 230.0W Q[gd]: 19.0nC R[thJC] max: 0.64K/W T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 30.0V Package: TO-220 V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 1.95mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 2.6mΩ V[GS(th)]: 1.9V I[D ](@25°C) max: 260.0A Q[G](typ @4.5V): 57.0nC Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.66

IPP041N04NG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

I[Dpuls] max: 400.0A V[GS(th)] max: 4.0V R[th]: 1.6K/W P[tot] max: 94.0W V[DS] max: 40.0V Q[G](typ @10V): 42.0nC Package: TO-220 Polarity: N C[iss]: 3400.0pF C[oss]: 980.0pF R[DS (on)](@10V) max: 4.1mΩ I[D ](@25°C) max: 80.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.41

IRF1404Z

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 40V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package

Package: TO-220 Polarity: N P[tot] max: 220.0W Q[gd]: 42.0nC R[thJC] max: 0.65K/W T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 40.0V V[GS] max: 20.0V Mounting: THT R[DS (on)](@10V) max: 3.7mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 100.0nC I[D ](@25°C) max: 180.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.58

IRFP7430

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 40V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

T[j] max: 175.0°C V[GS] max: 20.0V P[tot] max: 366.0W Package: TO-247 Polarity: N R[thJC] max: 0.41K/W Mounting: THT Q[gd]: 98.0nC V[DS] max: 40.0V R[DS (on)](@10V) max: 1.3mΩ V[GS(th)]: 3.05V Q[G](typ @10V): 300.0nC I[D ](@25°C) max: 195.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.29

IRFH8324

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 30V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a PQFN 5x6 package

Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: N P[tot] max: 54.0W R[thJC] max: 2.3K/W V[DS] max: 30.0V V[GS] max: 20.0V P[tot](@ T[A]=25°C) max: 3.6W Q[gd]: 3.5nC T[j] max: 150.0°C R[DS (on)](@10V) max: 4.1mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 6.3mΩ V[GS(th)]: 1.8V I[D ](@25°C) max: 90.0A Q[G](typ @4.5V): 14.0nC Package: SuperSO8 5x6 Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.23

IPB020N08N5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Industry leading power MOSFET technology for telecom and server applications with OptiMOS™ 5 80V in D2PAK package

I[Dpuls] max: 480.0A Mounting: SMD P[tot] max: 300.0W Package: D2PAK (TO-263) Pin Count: 3.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 133.0nC R[th]: 0.5K/W R[thJA] max: 62.0K/W V[DS] max: 80.0V C[iss]: 9300.0pF C[oss]: 1500.0pF R[DS (on)](@10V) max: 2.0mΩ I[D ](@25°C) max: 173.0A V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.45

IPB019N08NF2S

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 80 V in D²PAK package

I[D ](@25°C) max: 166.0A I[Dpuls] max: 664.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 250.0W Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 124.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.95mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 36-48 V Budgetary Price €/1k: 1.25

IPB055N08NF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 80 V in D²PAK package

I[D ](@25°C) max: 94.0A I[Dpuls] max: 376.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 107.0W Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 36.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.5mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 36-48 V Budgetary Price €/1k: 0.63

IPB015N06NF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 60 V in D²PAK package

I[D ](@25°C) max: 195.0A I[D ] max: 195.0A I[Dpuls] max: 780.0A Mounting: SMD Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 250.0W Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 155.0nC Q[G]: 155.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.5mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V Battery voltage: 24-66 V Budgetary Price €/1k: 1.05

IPB040N08NF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 80 V in D²PAK package

I[D ](@25°C) max: 107.0A I[Dpuls] max: 428.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 150.0W Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 54.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.0mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 36-48 V Budgetary Price €/1k: 1.09