I[Dpuls] max: 696.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 300.0W
Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
Pin Count: 7.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 80.0nC
Q[gd]: 16.0nC
R[th]: 0.3K/W
R[thJA] max: 62.0K/W
R[thJC] max: 0.5K/W
V[DS] max: 150.0V
C[iss]: 6000.0pF
C[oss]: 1500.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 4.4mΩ
I[D ](@25°C) max: 174.0A
V[GS(th)]: 3.8V
Operating Temperature max: 175.0°C
Battery voltage: 72-96 V
Budgetary Price €/1k: 2.12
IPB133N12NM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in D²PAK 3-pin package
I[D ](@25°C) max: 55.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: D2PAK (TO-263)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 15.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 13.3mΩ
V[DS] max: 120.0V
V[GS(th)]: 3.1V
IPF019N12NM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: Fully optimized best-in-class performance at 120 V
I[D ](@25°C) max: 254.0A
I[Dpuls] max: 1016.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 395.0W
Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 113.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 1.9mΩ
V[DS] max: 120.0V
V[GS(th)] max: 3.6V
Budgetary Price €/1k: 2.59
IPF024N10NF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in D²PAK 7-pin package
I[D ](@25°C) max: 227.0A
I[Dpuls] max: 908.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 250.0W
Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 103.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.4mΩ
V[DS] max: 100.0V
V[GS(th)]: 3.0V
Battery voltage: 48-72 V
Budgetary Price €/1k: 1.54
IRFR4615
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 150V Single N-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
Package: DPAK (TO-252)
Q[gd]: 9.0nC
T[j] max: 175.0°C
Moisture Sensitivity Level: 1
Mounting: SMD
Polarity: N
P[tot] max: 144.0W
R[thJC] max: 1.045K/W
V[DS] max: 150.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 42.0mΩ
V[GS(th)]: 4.0V
Q[G](typ @10V): 26.0nC
I[D ](@25°C) max: 33.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.51
IPD050N10N5
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in DPAK package with 22% lower RDS(on) for telecom and server power supply applications
I[Dpuls] max: 320.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 150.0W
Package: DPAK (TO-252)
Pin Count: 3.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 51.0nC
Q[gd]: 10.0nC
R[th]: 0.6K/W
R[thJA] max: 75.0K/W
R[thJC] max: 1.0K/W
V[DS] max: 100.0V
R[DS (on)](@10V) max: 5.0mΩ
I[D ](@25°C) max: 80.0A
V[GS(th)]: 3.0V
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.82
I[Dpuls] max: 136.0A
R[th]: 1.1K/W
P[tot] max: 136.0W
V[DS] max: 200.0V
Q[G](typ @10V): 22.0nC
Package: DPAK (TO-252)
Polarity: N
C[iss]: 1770.0pF
C[oss]: 135.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 32.0mΩ
I[D ](@25°C) max: 34.0A
V[GS(th)]: 3.0V
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 1.11
IPB068N20NM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in D²PAK 3-pin package
I[D ](@25°C) max: 134.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: D2PAK (TO-263)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 73.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 6.8mΩ
V[DS] max: 200.0V
V[GS(th)]: 3.7V
Budgetary Price €/1k: 3.25
IRLR3110Z
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
Moisture Sensitivity Level: 1
Mounting: SMD
Polarity: N
P[tot] max: 140.0W
Q[gd]: 15.0nC
R[thJC] max: 1.05K/W
V[DS] max: 100.0V
V[GS] max: 16.0V
Package: DPAK (TO-252)
T[j] max: 175.0°C
R[DS (on)](@10V) max: 14.0mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 14.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 16.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 16.0mΩ
V[GS(th)]: 1.75V
V[GS(th)]: 1.75V
I[D ](@25°C) max: 63.0A
I[D ](@25°C) max: 63.0A
Q[G](typ @4.5V): 34.0nC
Q[G](typ @4.5V): 34.0nC
更多
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.52
IRFR4620
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 200V Single N-Channel Power MOSFET in a D-Pak package
P[tot] max: 144.0W
T[j] max: 175.0°C
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N
Mounting: SMD
Package: DPAK (TO-252)
Q[gd]: 7.9nC
R[thJC] max: 1.045K/W
V[DS] max: 200.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 78.0mΩ
V[GS(th)]: 4.0V
Q[G](typ @10V): 25.0nC
I[D ](@25°C) max: 24.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.58