IPB024N10N5


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in D2PAK 7pin package with 22% lower RDS(on) for telecom and server power supply applications

I[Dpuls] max: 720.0A Mounting: SMD P[tot] max: 250.0W Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Pin Count: 7.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 111.0nC Q[gd]: 23.0nC R[th]: 0.4K/W R[thJA] max: 62.0K/W R[thJC] max: 0.6K/W V[DS] max: 100.0V R[DS (on)](@10V) max: 2.4mΩ I[D ](@25°C) max: 180.0A V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.55
I[Dpuls] max: 544.0A Mounting: SMD P[tot] max: 250.0W Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Pin Count: 7.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 54.5nC Q[gd]: 11.1nC R[th]: 0.4K/W R[thJA] max: 62.0K/W R[thJC] max: 0.6K/W V[DS] max: 150.0V R[DS (on)](@10V) max: 6.0mΩ I[D ](@25°C) max: 136.0A V[GS(th)]: 3.8V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.87

IPF050N10NF2S


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in D²PAK 7-pin package

I[D ](@25°C) max: 117.0A I[Dpuls] max: 468.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 150.0W Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Polarity: N Q[G](typ @10V): 51.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.05mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 48-72 V Budgetary Price €/1k: 0.82

IPF042N10NF2S


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in D²PAK 7-pin package

I[D ](@25°C) max: 139.0A I[Dpuls] max: 556.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 167.0W Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Polarity: N Q[G](typ @10V): 57.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.25mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 48-72 V Budgetary Price €/1k: 0.63

IPF067N20NM6


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in D²PAK 7-pin package

I[D ](@25°C) max: 138.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Polarity: N Q[G](typ @10V): 72.0nC R[DS (on)](@10V) max: 6.7mΩ V[DS] max: 200.0V V[GS(th)]: 3.7V Budgetary Price €/1k: 3.26

IPB043N10NF2S


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in D²PAK package

I[D ](@25°C) max: 135.0A I[Dpuls] max: 540.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 167.0W Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 57.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.35mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Budgetary Price €/1k: 0.6

IPB017N10N5LF


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Combining a low RDS(on) with a wide safe operating area (SOA)

I[Dpuls] max: 720.0A Mounting: SMD P[tot] max: 313.0W Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Pin Count: 7.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 195.0nC Q[gd]: 141.0nC R[th]: 0.25K/W R[thJA] max: 62.0K/W R[thJC] max: 0.4K/W V[DS] max: 100.0V R[DS (on)](@10V) max: 1.7mΩ Special Features: Wide SOA I[D ](@25°C) max: 180.0A V[GS(th)]: 3.3V Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 2.64

IPF031N13NM6


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 135 V Normal Level in D²PAK 7-pin

I[D ](@25°C) max: 207.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Polarity: N Q[G](typ @10V): 104.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.1mΩ V[DS] max: 135.0V V[GS(th)]: 3.0V Budgetary Price €/1k: 2.25

IPF129N20NM6


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in D²PAK 7-pin package

I[D ](@25°C) max: 87.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Polarity: N Q[G](typ @10V): 37.0nC R[DS (on)](@10V) max: 12.9mΩ V[DS] max: 200.0V V[GS(th)]: 3.7V Budgetary Price €/1k: 2.16

IPB017N10N5


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in D2PAK 7pin package with 22% lower RDS(on) for telecom and server power supply applications

I[D ](@25°C) max: 273.0A I[Dpuls] max: 720.0A Mounting: SMD P[tot] max: 375.0W Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin) Pin Count: 7.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 168.0nC R[th]: 0.4K/W R[thJC] max: 0.4K/W R[thJA] max: 62.0K/W V[DS] max: 100.0V C[iss]: 12000.0pF C[oss]: 1810.0pF R[DS (on)](@10V) max: 1.7mΩ V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 48-72 V Budgetary Price €/1k: 2.33