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IPT034N15NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 194.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 69.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.4mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.5V

NXVF6532M3TG01

制造商: ONSEMI
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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

状态: Active, New Compliance: Pb A H P Configuration: Bridge VBR Max (V): 650 RDS(on) Max (mΩ): 44 Package Type: AUTOMOTIVE POWER MODULE16 40.10x21.90x4.50, 1.90P MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: F Reference Price: $15.6855

IRFH4253D

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 25V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm Lead Free package

Polarity: N+N P[tot] max: 31.0W Q[G]: 10.0nC Q[gd]: 3.8nC R[thJA] max: 34.0K/W T[j] min: -55.0°C V[DS] max: 25.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Q[gd]: 12.0nC V[GS] max: 20.0V I[D ] max: 64.0A I[D ] max: 145.0A I[Dpuls] max: 120.0A I[Dpuls] max: 580.0A Operating Temperature min: -55.0°C P[tot] max: 50.0W Q[G]: 31.0nC R[DS (on)] max: 3.2mΩ R[DS (on)] max: 1.1mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 4.6mΩ 更多

R[DS (on)](@4.5V) max: 1.45mΩ R[thJA] max: 38.0K/W V[DS] max: 25.0V Package: PowerStage 5x6 (TISON-8) Special Features: Schottky (includes Schottky like and FETky)

IPB095N20NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in D²PAK 3-pin package

I[D ](@25°C) max: 116.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 53.0nC R[DS (on)](@10V) max: 9.5mΩ V[DS] max: 200.0V V[GS(th)]: 3.7V

IPP095N20NM6

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in TO-220 package

I[D ](@25°C) max: 116.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TO-220 Polarity: N Q[G](typ @10V): 53.0nC R[DS (on)](@10V) max: 9.5mΩ V[DS] max: 200.0V V[GS(th)]: 3.7V

IPP130N20NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in TO-220 package

I[D ](@25°C) max: 87.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TO-220 Polarity: N Q[G](typ @10V): 37.0nC R[DS (on)](@10V) max: 13.0mΩ V[DS] max: 200.0V V[GS(th)]: 3.7V

IPTC068N20NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in TOLT package

I[D ](@25°C) max: 140.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 71.0nC R[DS (on)](@10V) max: 6.8mΩ V[DS] max: 200.0V V[GS(th)]: 3.7V

IPM018N10NM5LF2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 1.8 mΩ, 176 A in 8 mm x 8 mm footprint

I[D ](@25°C) max: 285.0A Operating Temperature max: 175.0°C Polarity: N Q[G](typ @10V): 142.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.85mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.15V Package: mTOLG (8x8) Special Features: Wide SOA

ISC018N08NM6SC

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 Dual-Side Cooling

I[D ](@25°C) max: 230.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 DSC Polarity: N Q[G](typ @10V): 63.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.8mΩ Special Features: Dual-Side Cooling V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISC031N08NM6SC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 Dual-Side Cooling

I[D ](@25°C) max: 145.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 DSC Polarity: N Q[G](typ @10V): 37.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.1mΩ Special Features: Dual-Side Cooling V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V