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IGLR60R190D1

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: 600 V CoolGaN™ e-mode power transistor for ultimate efficiency and reliability

Mounting: SMT QG: 3.2nC VDS: NoneV RDS (on)(typ): 140.0mΩ ID (@ TA=25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: ≤ G3

IGT60R070D1

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: 600 V CoolGaN™e-mode power transistor for ultimate efficiency and reliability

Mounting: SMT Package: PG-HSOF-8-3 Polarity: N QG: 5.8nC VDS: NoneV VGS(th): 1.2V RDS (on)(typ): 55.0mΩ ID (@ TA=25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: ≤ G3

GS-065-014-6-LR-TR

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 2.7nC RDS (on): NonemΩ RDS (on)(typ): 95.0mΩ VDS: NoneV Generation: G4

GS-065-014-6-L-TR

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 2.7nC RDS (on): NonemΩ RDS (on)(typ): 95.0mΩ VDS: NoneV Generation: G4

GS-065-011-6-L-TR

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 2.2nC RDS (on): NonemΩ RDS (on)(typ): 125.0mΩ VDS: NoneV Generation: G4

IGLT65R110D2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V G5

Mounting: SMT VDS: NoneV RDS (on): NonemΩ RDS (on)(typ): 110.0mΩ Generation: G5

GS-065-011-6-LR-TR

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 2.2nC RDS (on): NonemΩ RDS (on)(typ): 125.0mΩ VDS: NoneV Generation: G4

GS66502B-TR

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V ≤ G3 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 3.3nC RDS (on)(typ): 100.0mΩ RDS (on): NonemΩ VDS: NoneV Generation: ≤ G3

IGLR60R340D1

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: 600 V CoolGaN™ e-mode power transistor for ultimate efficiency and reliability

Mounting: SMT QG: 1.2nC VDS: NoneV RDS (on)(typ): 270.0mΩ ID (@ TA=25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: ≤ G3

IGT65R140D2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V G5

Mounting: SMT VDS: NoneV RDS (on)(typ): 140.0mΩ Generation: G5 RDS (on): NonemΩ