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DMP2016UFDE-13

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 9.5A（Ta） 900mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）

FET 类型: P 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15 毫欧 @ 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 8 V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1710 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 900mW（Ta）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳: 6-PowerUDFN

DMP3027LFDE-7

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 8.5A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）

FET 类型: P 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21.8 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1142 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳: 6-PowerUDFN

DMP2021UFDE-13

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 11.1A（Ta） 1.9W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）

FET 类型: P 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16 毫欧 @ 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 59 nC @ 8 V Vgs（最大值）: ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2760 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.9W（Ta）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳: 6-PowerUDFN

DMP2012UFDE-13

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 14A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）

FET 类型: P 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9mOhm @ 10A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1686 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳: 6-PowerUDFN

DMP2012UFDE-7

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 14A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）

PMV27UPER

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 4.5A（Ta） 490mW（Ta），4.15W（Tc） TO-236AB

FET 类型: P 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 950mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22.1 nC @ 4.5 V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1820 pF @ 10 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 490mW（Ta），4.15W（Tc）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3