IGC090S20S1
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管
描述: CoolGaN™ Transistor 200 V G3 in PQFN 3x5, 6.7 mΩ
物料参数
| VDS: | NoneV |
| QG: | 8.2C |
| Mounting: | SMT |
| RDS (on)(typ): | 6.7mΩ |
| Generation: | G3 |
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管
描述: CoolGaN™ Transistor 200 V G3 in PQFN 3x5, 6.7 mΩ
| VDS: | NoneV |
| QG: | 8.2C |
| Mounting: | SMT |
| RDS (on)(typ): | 6.7mΩ |
| Generation: | G3 |