CSD16413Q5A
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 3.9
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 5.6
VGSTH typ (typ) (V): 1.6
QG (typ) (nC): 9
QGD (typ) (nC): 2.5
QGS (typ) (nC): 3.5
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 100
ID - package limited (A): 100
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 3.9
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Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 5.6
VGSTH typ (typ) (V): 1.6
QG (typ) (nC): 9
QGD (typ) (nC): 2.5
QGS (typ) (nC): 3.5
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 100
ID - package limited (A): 100
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
PMPB33XP,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 5.5A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 37 毫欧 @ 5.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1575 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
BUK6D385-100EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 1.4A（Ta），3.7A（Tc） 2W（Ta），15W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A（Ta），3.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 385 毫欧 @ 1.5，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 6.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 195 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），15W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB27EP,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 6.1A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 29 毫欧 @ 6.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1570 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB14XNX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 8.1A（Ta） 3，8W（Ta），12，5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18毫欧 @ 8，1A，4，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1625 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3，8W（Ta），12，5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB95ENEAX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 2.8A（Ta） 1.6W（Ta），15.6W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 105 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 504 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta），15.6W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
BUK6D30-40EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 6A（Ta），18A（Tc） 2W（Ta），19W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 30 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 440 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），19W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB10XNEZ
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 20 V 9A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14 毫欧 @ 9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2175 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB20XPE,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 7.2A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 23.5 毫欧 @ 7.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 45 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2945 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
BUK6D210-60EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 2.1A（Ta），5.7A（Tc） 2W（Ta），15W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.1A（Ta），5.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 210 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 110 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），15W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘