SIZF914DT-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 25V 23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 3.4W（Ta），26.6W（Tc），4W（Ta），60W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（6x5）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21nC @ 10V，98nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1050pF @ 10V，4670pF @ 10V
功率 - 最大值: 3.4W（Ta），26.6W（Tc），4W（Ta），60W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-PowerPair®（6x5）
STFW1N105K3
制造商: STMICROELECTRONICS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1050 V 1.4A（Tc） 20W（Tc） TO-3PF
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1050 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11 欧姆 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 180 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 20W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3PF
封装/外壳: TO-3P-3 整包
IPDQ60R022S7XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 600 V 24A（Tc） 416W（Tc） PG-HDSOP-22-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 @ 23A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 1.44mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 150 nC @ 12 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5639 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 416W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-22-1
封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块
IPDQ60R022S7AXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 600 V 24A（Tc） 416W（Tc） PG-HDSOP-22-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 @ 23A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 1.44mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 150 nC @ 12 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5640 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 416W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-22-1
封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块
PSMN0R7-25YLDX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 25 V 300A（Tc） 158W（Tc） LFPAK56; Power-SO8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.72 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 110.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8320 pF @ 12 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 158W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56; Power-SO8
封装/外壳: SOT-1023，4-LFPAK
GT55N06D5
制造商: GOFORD SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 45A（Tc） 69W（Tc） 8-DFN（4.9x5.75）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1085 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 69W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN（4.9x5.75）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
SQ1421EDH-T1_GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 60 V 1.6A（Tc） 3.3W（Tc） SC-70-6
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 290 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 355 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.3W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-70-6
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363