PMPB20XNEAX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 20 V 7.5A（Ta） 460mW（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 7.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 930 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 460mW（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB10ENZ
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 10A（Ta） 1.8W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 20.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 840 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB14XPX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 12.7A（Ta） 3.9W（Ta） DFN2020MD-6
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 19 毫欧 @ 8.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2303 pF @ 6 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.9W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
BUK9D23-40EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 8A（Ta） 15W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 23 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 637 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 15W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
BUK6D72-30EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 4A（Ta），11A（Tc） 2W（Ta），15W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta），11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 72 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 100 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），15W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB12UNEX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 20 V 11.4A（Ta） 470mW（Ta） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16 毫欧 @ 7.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1220 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 470mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB13XNE,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 8A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16 毫欧 @ 8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 36 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2195 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
DMN6040SFDE-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 5.3A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 38 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1287 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 660mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN
DMP4047LFDE-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 3.3A（Ta） 700mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 @ 4.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1382 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 700mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN
DMN2020UFCL-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 20 V 9A（Ta） 610mW（Ta） X1-DFN1616-6（E 类）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14 毫欧 @ 9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1788 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 610mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: X1-DFN1616-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUFDFN