BUK6D77-60EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 3.4A（Ta），10.6A（Tc） 2W（Ta），18.8W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A（Ta），10.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 77 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 9.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 305 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），18.8W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
BUK6D215-80PX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 80 V 2A（Ta），6A（Tc） 2W（Ta），17W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Ta），6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 215 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 535 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），17W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB20EN,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 7.2A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 19.5 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 435 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB20ENZ
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 7.2A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 19.5 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 435 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB47XP,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 4A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 58 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1365 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
BUK6D125-60EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 2.7A（Ta），7.4A（Tc） 2W（Ta），15W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A（Ta），7.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 125 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 196 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），15W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
BUK6D22-30EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 7.2A（Ta），22A（Tc） 2W（Ta），19W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.2A（Ta），22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 @ 7.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 440 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），19W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
BUK6D23-40EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 8A（Ta），19A（Tc） 2.3W（Ta），15W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 23 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 582 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.3W（Ta），15W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
BUK6D23-40EH
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 8A（Ta），19A（Tc） 2.3W（Ta），15W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 23 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 582 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.3W（Ta），15W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB16EPX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 7.5A（Ta） 2W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1418 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘