RFP70N06
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 60 V 70A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 156 nC @ 20 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2250 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
VS-FC420SA10
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 底座安装 N 通道 100 V 435A（Tc） 652W（Tc） SOT-227
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 435A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.15 毫欧 @ 200A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 750µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 375 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 17300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 652W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227
封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC
VS-FC420SA15
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 底座安装 N 通道 150 V 400A（Tc） 909W（Tc） SOT-227
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.75 毫欧 @ 200A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 250 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 909W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227
封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 100 V in a SuperSO8 5x6 package
I[Dpuls] max: 320.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 83.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 30.0nC
R[th]: 1.5K/W
R[thJA] max: 50.0K/W
R[thJC] max: 1.5K/W
V[DS] max: 100.0V
C[iss]: 2100.0pF
C[oss]: 340.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 7.0mΩ
Package: SuperSO8 5x6
I[D ](@25°C) max: 80.0A
V[GS(th)]: 3.0V
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.53
IPB720P15LM
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: P-Channel MOSFETs in logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
I[D ](@25°C) max: -41.0A
I[D ] max: -41.0A
I[Dpuls] max: -164.0A
Mounting: SMT
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 300.0W
Package: D2PAK (TO-263)
Pin Count: 3.0Pins
Polarity: P
Q[G](typ @10V): -224.0nC
Q[G]: -224.0nC
Q[G](typ @4.5V): -110.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 72.0mΩ
R[DS (on)] max: 72.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 73.0mΩ
V[DS] max: -150.0V
V[GS(th)] max: -2.0V
Budgetary Price €/1k: 1.87
IRFR6215
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -150V Single P-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
Mounting: SMD
Package: DPAK (TO-252)
Polarity: P
Q[gd]: 23.3nC
T[j] max: 175.0°C
V[DS] max: -150.0V
Moisture Sensitivity Level: 1
P[tot] max: 110.0W
R[thJC] max: 1.4K/W
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 580.0mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 580.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 44.0nC
Q[G](typ @10V): 44.0nC
I[D ](@25°C) max: -13.0A
I[D ](@25°C) max: -13.0A
Budgetary Price €/1k: 0.35
Budgetary Price €/1k: 0.35
IPD42DP15LM
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ P-Channel MOSFET 150V in DPAK
I[D ](@25°C) max: -9.0A
I[D ] max: -9.0A
I[Dpuls] max: -36.0A
Mounting: SMT
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 83.0W
Package: DPAK (TO-252)
Pin Count: 3.0Pins
Polarity: P
Q[G](typ @4.5V): -21.0nC
Q[G](typ @10V): -43.0nC
Q[G]: -43.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 420.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 430.0mΩ
R[DS (on)] max: 420.0mΩ
V[DS] max: -150.0V
V[GS(th)] max: -2.0V
Budgetary Price €/1k: 0.5
ISZ75DP15LM
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: P-channel MOSFETs in logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
I[D ](@25°C) max: -5.1A
I[Dpuls] max: -20.6A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 50.0W
Package: PQFN 3.3 x 3.3 FL
Polarity: P
Q[G](typ @10V): -22.9nC
Q[G](typ @4.5V): -11.6nC
R[DS (on)](@10V) max: 750.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 770.0mΩ
V[DS] max: -150.0V
V[GS(th)] max: -2.0V
ISZ56DP15LM
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: P-channel MOSFETs in logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
I[D ](@25°C) max: -6.7A
I[Dpuls] max: -27.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 62.5W
Package: PQFN 3.3 x 3.3 FL
Polarity: P
Q[G](typ @10V): -30.0nC
Q[G](typ @4.5V): -15.2nC
R[DS (on)](@10V) max: 560.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 550.0mΩ
V[DS] max: -150.0V
V[GS(th)] max: -2.0V
ISZ15EP15LM
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: P-channel MOSFETs in logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
I[D ](@25°C) max: -2.7A
I[Dpuls] max: -10.8A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 26.3W
Package: PQFN 3.3 x 3.3 FL
Polarity: P
Q[G](typ @10V): -11.0nC
Q[G](typ @4.5V): -5.5nC
R[DS (on)](@10V) max: 1500.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 1600.0mΩ
V[DS] max: -150.0V
V[GS(th)] max: -2.0V