天天芯片 - 物料搜索

ISZ810P06LM

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-channel MOSFETs in logic level, reducing design complexity in medium and low power applications

I[D ](@25°C) max: -19.5A I[Dpuls] max: -78.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 83.0W Package: PQFN 3.3 x 3.3 FL Polarity: P Q[G](typ @10V): -32.2nC Q[G](typ @4.5V): -16.0nC R[DS (on)](@10V) max: 81.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 105.0mΩ V[DS] max: -60.0V V[GS(th)] max: -2.0V

BSO613SPVG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -60V, SO-8

R[th]: 100.0K/W P[tot] max: 2.5W V[DS] max: -60.0V Q[G](typ @10V): 20.0nC I[D ] max: -3.44A V[GS(th)] max: -4.0V Operating Temperature max: 150.0°C I[Dpuls] max: -13.8A Mounting: SMD Mode: Enhancement Package: SO-8 Polarity: P C[iss]: 700.0pF C[oss]: 235.0pF R[DS (on)](@10V) max: 130.0mΩ I[D ](@25°C) max: -3.44A Budgetary Price €/1k: 0.34

ISC240P06LM

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-channel MOSFETs in logic level, reducing design complexity in medium and low power applications

I[D ](@25°C) max: -59.0A I[Dpuls] max: -236.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 188.0W Package: SuperSO8 5x6 Polarity: P Q[G](typ @10V): -102.0nC Q[G](typ @4.5V): -51.0nC R[DS (on)](@10V) max: 24.0mΩ V[DS] max: -60.0V V[GS(th)] max: -2.0V R[DS (on)](@4.5V) max: 32.0mΩ

ISC800P06LM

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-channel MOSFETs in logic level, reducing design complexity in medium and low power applications

I[D ](@25°C) max: -19.6A I[Dpuls] max: -78.4A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 83.0W Package: SuperSO8 5x6 Polarity: P Q[G](typ @10V): -11.2nC Q[G](typ @4.5V): -16.0nC R[DS (on)](@10V) max: 80.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 100.0mΩ V[DS] max: -60.0V V[GS(th)] max: -2.0V

SPP80P06PH

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -60V TO-220

I[Dpuls] max: -320.0A R[th]: 0.4K/W P[tot] max: 340.0W V[DS] max: -60.0V Package: TO-220 C[iss]: 4026.0pF C[oss]: 1252.0pF I[D ](@25°C) max: -80.0A Q[G](typ @10V): 115.0nC R[DS (on)](@10V) max: 23.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Polarity: P Operating Temperature min: -55.0°C Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.64

IRF9Z34NS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -55V Single P-Channel IR MOSFET in a D2-Pak package

Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: P P[tot] max: 68.0W R[thJC] max: 2.2K/W V[DS] max: -55.0V V[GS] max: 20.0V Package: D2PAK (TO-263) Q[gd]: 10.7nC T[j] max: 175.0°C R[DS (on)](@10V) max: 100.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 23.3nC I[D ](@25°C) max: -19.0A Budgetary Price €/1k: 0.45

IRF5305S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: IR MOSFET -55 V in a D²PAK package

Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: P P[tot] max: 110.0W R[thJC] max: 1.4K/W V[DS] max: -55.0V V[GS] max: 20.0V Package: D2PAK (TO-263) Q[gd]: 19.3nC T[j] max: 175.0°C R[DS (on)](@10V) max: 60.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 42.0nC I[D ](@25°C) max: -31.0A Budgetary Price €/1k: 0.46

IRF4905S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

P[tot] max: 170.0W T[j] max: 150.0°C Package: D2PAK (TO-263) R[thJC] max: 0.75K/W V[GS] max: 20.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: P Q[gd]: 57.3nC V[DS] max: -55.0V R[DS (on)](@10V) max: 20.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 120.0nC I[D ](@25°C) max: -70.0A Budgetary Price €/1k: 1.1

IRFR9024N

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -55V Single P-Channel IR MOSFET in a D-Pak package

Moisture Sensitivity Level: 1 P[tot] max: 38.0W R[thJC] max: 3.3K/W V[DS] max: -55.0V Mounting: SMD Package: DPAK (TO-252) Polarity: P Q[gd]: 6.7nC T[j] max: 150.0°C V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 175.0mΩ R[DS (on)](@10V) max: 175.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 12.7nC Q[G](typ @10V): 12.7nC I[D ](@25°C) max: -11.0A I[D ](@25°C) max: -11.0A Budgetary Price €/1k: 0.19 Budgetary Price €/1k: 0.19

IRFR5305

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package

Mounting: SMD Q[gd]: 19.3nC T[j] max: 175.0°C Moisture Sensitivity Level: 1 Package: DPAK (TO-252) Polarity: P P[tot] max: 89.0W R[thJC] max: 1.4K/W V[DS] max: -55.0V V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 65.0mΩ R[DS (on)](@10V) max: 65.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 42.0nC Q[G](typ @10V): 42.0nC I[D ](@25°C) max: -31.0A I[D ](@25°C) max: -31.0A Budgetary Price €/1k: 0.3 Budgetary Price €/1k: 0.29