IRF6644
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MN package
P[tot] max: 89.0W
Moisture Sensitivity Level: 1
Mounting: SMD
Polarity: N
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.8W
Q[gd]: 11.5nC
R[thJC] max: 1.4K/W
T[j] max: 150.0°C
V[DS] max: 100.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 13.0mΩ
V[GS(th)]: 3.7V
Q[G](typ @10V): 28.0nC
Micro-stencil: IRF66MN-25
I[D ](@25°C) max: 57.0A
Package: DirectFET (M)
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.85
IRF6775M
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MZ package
Mounting: SMD
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.8W
P[tot] max: 89.0W
Q[gd]: 6.6nC
R[thJC] max: 1.4K/W
V[DS] max: 150.0V
V[GS] max: 20.0V
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N
T[j] max: 150.0°C
R[DS (on)](@10V) max: 56.0mΩ
V[GS(th)]: 4.0V
Q[G](typ @10V): 25.0nC
Micro-stencil: IRF66MZ-25
I[D ](@25°C) max: 28.0A
Package: DirectFET (M)
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.66
IRF7769L1
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ L8 package
Mounting: SMD
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 3.3W
Q[gd]: 110.0nC
T[j] max: 175.0°C
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N
P[tot] max: 125.0W
R[thJA] max: 45.0K/W
V[DS] max: 100.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 3.5mΩ
V[GS(th)]: 2.7V
Q[G](typ @10V): 200.0nC
Micro-stencil: IRF66L8-25
I[D ](@25°C) max: 124.0A
Package: DirectFET (L)
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 1.85
IRF7779L2
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MP package
Mounting: SMD
Polarity: N
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 3.3W
Q[gd]: 33.0nC
T[j] max: 175.0°C
V[GS] max: 20.0V
Moisture Sensitivity Level: 1
P[tot] max: 125.0W
R[thJC] max: 1.2K/W
V[DS] max: 150.0V
R[DS (on)](@10V) max: 11.0mΩ
V[GS(th)]: 4.0V
Q[G](typ @10V): 97.0nC
Micro-stencil: IRF66L8-25
I[D ](@25°C) max: 67.0A
Package: DirectFET (L)
Operating Temperature max: 175.0°C
Battery voltage: 72-96 V
Budgetary Price €/1k: 2.44
I[Dpuls] max: 448.0A
Mounting: THT
P[tot] max: 214.0W
Package: I2PAK (TO-262)
Pin Count: 3.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 49.0nC
Q[gd]: 10.0nC
R[th]: 0.7K/W
R[thJA] max: 62.0K/W
R[thJC] max: 0.7K/W
V[DS] max: 150.0V
C[iss]: 3600.0pF
C[oss]: 900.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 7.6mΩ
I[D ](@25°C) max: 112.0A
V[GS(th)]: 3.8V
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 1.99
IRF6645
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ SJ package
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 3.0W
Q[gd]: 4.8nC
T[j] max: 150.0°C
V[GS] max: 20.0V
Mounting: SMD
P[tot] max: 42.0W
R[thJC] max: 3.0K/W
V[DS] max: 100.0V
R[DS (on)](@10V) max: 35.0mΩ
V[GS(th)]: 3.95V
Q[G](typ @10V): 14.0nC
Micro-stencil: IRF66SJ-25
I[D ](@25°C) max: 25.0A
Package: DirectFET (S)
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.47
I[Dpuls] max: 44.0A
R[th]: 2.0K/W
P[tot] max: 62.5W
V[DS] max: 250.0V
Q[G](typ @10V): 8.6nC
Polarity: N
C[iss]: 690.0pF
C[oss]: 44.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 165.0mΩ
Package: PQFN 3.3 x 3.3
I[D ](@25°C) max: 10.9A
V[GS(th)]: 3.0V
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.71
ISZ330N12LM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET logic level 120 V in PQFN 3.3 x 3.3 package
I[D ](@25°C) max: 24.0A
I[Dpuls] max: 96.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 43.0W
Package: PQFN 3.3 x 3.3
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 3.6nC
Q[G](typ @10V): 6.8nC
R[DS (on)](@10V) max: 33.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 44.6mΩ
V[DS] max: 120.0V
V[GS(th)]: 1.7V
Battery voltage: 48-72 V
Budgetary Price €/1k: 0.39
BSZ096N10LS5
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package
I[Dpuls] max: 248.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 69.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 12.0nC
Q[gd]: 4.1nC
R[th] max: 1.8K/W
R[thJA] max: 62.0K/W
R[thJC] max: 1.8K/W
V[DS] max: 100.0V
C[iss]: 1600.0pF
C[oss]: 250.0pF
Q[G](typ @10V): 22.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 9.6mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 13.5mΩ
R[DS (on)](@4.5V LL) max: 13.5mΩ
Package: PQFN 3.3 x 3.3
I[D ](@25°C) max: 62.0A
V[GS(th)]: 1.7V
更多
Operating Temperature max: 150.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.54
ISZ106N12LM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET logic level 120 V in PQFN 3.3 x 3.3 package
I[D ](@25°C) max: 62.0A
I[Dpuls] max: 248.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 94.0W
Package: PQFN 3.3 x 3.3
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 10.4nC
Q[G](typ @10V): 19.6nC
R[DS (on)](@10V) max: 10.6mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 14.2mΩ
V[DS] max: 120.0V
V[GS(th)]: 1.7V
Battery voltage: 48-72 V
Budgetary Price €/1k: 0.71